樟木头工业氟化氢铵公司

　　氢氟酸的储存与运输规范

　　氢氟酸储存需避光、低温，置于通风良好的防泄漏托盘内，远离活泼金属（如钠）和碱性物质。运输时须符合危险化学品法规，使用耐压聚乙烯桶并标注“腐蚀性”和“有毒”标志。车辆应配备防漏应急包，驾驶员需持有危险品运输资质。国际运输还需遵守《联合国关于危险货物运输建议书》，确保包装通过密封性和抗冲击测试。任何运输途中泄漏都需立即隔离现场，由专业人员处理。

　　39、氮化硅的淀积

　　利用PECVD 沉积出氮化硅膜，形成保护层。

　　40、PAD的形成

　　利用光刻技术在晶圆表层制作出金属焊盘（Pa）的屏蔽图形。利用活性离子蚀刻技术蚀刻出焊盘区域，以做为后续集成电路封装工艺时连接焊线的接触区。41、 将元件予以退火处理此一步骤的目的是让器件有佳化的金属电性接触与性，至此一个CMOS晶体管完成。

　　此工艺通过浓硫酸与萤石（≥97.5％氟化钙）反应获得氟化氢。氟化氢离开反应器后被冷凝，然后通过蒸馏纯化。氢氟酸是通过迅速将无水氟化氢溶解于水获得。氟化氢也是提取磷酸（肥料前身）的一个副产品，磷酸是从矿物磷灰石（CA5(PO4)3(F,Cl,OH)）获得的。磷灰石遇酸释放气体硫，包括氟化氢，二氧化硫，水蒸汽和颗粒物。气体生成物和固体分离，与浓硫酸和发烟硫酸生成无水氟化氢。氢氟酸是伴随着硅酸盐矿物溶解过程产生的，并产生大量的氟硅酸。

　　樟木头工业氟化氢铵公司

　　31、 定义出层金属的图形利用光刻技术定义出层金属的屏蔽。接着将铝金属利用活性离子刻蚀技术刻蚀出金属导线的结构

　　32、淀积二氧化硅利用PECVD 技术，在晶圆上沉积一层二氧化硅介电质，做为保护层。

　　33、 涂上二氧化硅将流态的二氧化硅﹝SOG,spin on glass﹞旋涂在晶圆表面上，使晶圆表面平坦化，以利后续之光刻工艺条件控制。34、 将 SOG 烘干由于SOG是将二氧化硅溶于溶剂中，因此要将溶剂加热去除掉。

　　23、 热氧化利用氧化技术，在晶圆表面形成一层氧化层。24、 NMOS 源和漏形成涂布光刻胶后，利用光刻技术形成NMOS源与漏区域的屏蔽，再利用离子注入技术将砷元素注入源与漏区域，而后将晶圆表面的光刻胶去除。

　　25、 PMOS 源和漏形成利用光刻技术形成PMOS源及漏区域的屏蔽之后，再利用离子注入技术将硼元素注入源及漏区域，而后将晶圆表面之光刻胶去除。

　　26、 未掺杂的氧化层化学气相淀积利用等离子体增强化学气相沉积( PECVD )技术沉积一层无掺杂的氧化层，保护器件表面，免于受后续工艺。27、 CMOS 源和漏的活化与扩散利用退火技术，将经离子注入过的漏及源进行电性活化及扩散处理。