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　　氢氟酸与其他酸的对比

　　与盐酸、硫酸等强酸相比，氢氟酸的独特之处在于其分子渗透性和与硅的强反应能力。硫酸主要通过脱水性造成烧伤，而氢氟酸则通过氟离子的生化毒性引发深层损伤。硝酸的氧化性更强，但氢氟酸对玻璃的腐蚀性无可比拟。此外，氢氟酸的中和需特异性钙剂，而普通酸烧伤仅需清水冲洗。这些差异使得氢氟酸事故处理更具挑战性，常规酸防护措施可能不足以应对其风险。

　　23、 热氧化利用氧化技术，在晶圆表面形成一层氧化层。24、 NMOS 源和漏形成涂布光刻胶后，利用光刻技术形成NMOS源与漏区域的屏蔽，再利用离子注入技术将砷元素注入源与漏区域，而后将晶圆表面的光刻胶去除。

　　25、 PMOS 源和漏形成利用光刻技术形成PMOS源及漏区域的屏蔽之后，再利用离子注入技术将硼元素注入源及漏区域，而后将晶圆表面之光刻胶去除。

　　26、 未掺杂的氧化层化学气相淀积利用等离子体增强化学气相沉积( PECVD )技术沉积一层无掺杂的氧化层，保护器件表面，免于受后续工艺。27、 CMOS 源和漏的活化与扩散利用退火技术，将经离子注入过的漏及源进行电性活化及扩散处理。

　　生产氢氟酸有采用萤石及磷矿石两种原料路线。而以萤石为原料的硫酸法是工业上普遍采用的方法。将干燥后的萤石粉和硫酸按配比1∶(1.2～1.3)混合，经高温分解、粗馏、精馏及水吸收而制得氢氟酸。1.用于有机或无机氟化物的制造，如氟碳化合物、氟化钠、氟化铝、六氟化铀和冰晶石等。也用于不锈钢、非铁金属酸洗，玻璃仪表刻度、玻璃器皿和镜子刻花、刻字，以及玻璃器皿抛光、磨砂灯泡和一般灯泡处理、金属石墨乳除硅提纯、金属铸件除砂、石墨灰分的去除、半导体（锗、硅）的制造。也用作染料合成及其他有机合成的催化剂。还用于电镀、试剂、发酵、陶瓷处理以及含氟树脂和阻燃剂的制造等。在电子工业中用作强酸性腐蚀剂，可与硝酸、乙酸、氨水、双氧水配合使用。

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　　一方面，进到身体后，电子氢氟酸厂家，和体细胞里的钙和镁触碰后，氟会和他们产生不溶解水的氟化钙（CaF2）和氟化镁（MgF2），造成体细胞离子通道混乱。另一方面，氢氟酸具备很高的亲脂性，40%氢氟酸厂家，神经细胞和，筋腱等机构迅速就会身亡。要是内服15ml浓度为9%的氢氟酸水溶液，就会引起身亡。氢氟酸厂家

　　高浓度灼伤常呈进行性坏死，溃疡愈合缓慢。严重者累及骨骼，尤以指骨为多见，表现为无菌性骨髓炎的征象。氢氟酸酸雾可引起皮肤瘙痒及皮炎。剂量大时亦可造成皮肤、胃肠道和呼吸道粘膜的灼伤。 HF理化性质:氢氟酸是氟化氢气体的水溶液,为无透明至淡黄冒烟液体.有刺激性气味.分子式 HF-H2O.相对密度 1.15～1.18.沸点 112.2℃(按重量百分比计为38.2%).市售通常浓度:约47% .是弱酸.氟化氢的水溶液,其溶质的质量分数可达35.35%.无溶液,有毒.浓时密度1.14g/cm3,沸点393.15K（120℃）.发烟雾.具弱酸性,但浓时的电离度比稀时大而与一般弱电解质有别.腐蚀性强,对牙、骨损害较严重.对硅的化合物有强腐蚀性.应在密闭的塑料瓶内保存.用HF溶于水而得.用于雕刻玻璃、清洗铸件上的残砂、控制发酵、电抛光和清洗腐蚀半导体硅片（与HNO3的混酸）.因为氢原子和氟原子间结合的能力相对较强,使得氢氟酸在水中不能解离.氢氟酸能够溶解很多其他酸都不能溶解的玻璃（二氧化硅）,反应方程式如下:SiO2(s) + 6 HF(aq) → H2SiF6(aq) + 2 H2O(l)正因如此,它储存在塑料容器中（理论上讲,放在聚四氟乙烯做成的容器中会）.氢氟酸还是一种还原剂,如果要长期储存,不仅需要一个密封容器,而且容器中应尽可能将空气排尽.工业制法:工业上用萤石（氟化钙 CaF2）和浓硫酸来制造氢氟酸.加热到250摄氏度时,这两种物质便反应生成氟化氢.反应方程式为:CaF2 + H2SO4 → 2 HF + CaSO4这个反应生成的蒸气是氟化氢、硫酸和其他几种副产品的混合物.在此之后氟化氢可以通过蒸馏来提纯.