大涌石英砂酸洗氟化氢铵公司

　　氢氟酸中毒的急救方法

　　氢氟酸暴露后，急救的黄金时间是前几分钟。皮肤接触需立即用大量清水冲洗15分钟以上，随后涂抹葡萄糖酸钙凝胶以结合游离氟离子；若无凝胶，可用镁盐或钙盐溶液湿敷。眼睛接触时需持续冲洗至少30分钟并尽快就医。吸入蒸气者应转移至空气新鲜处，给予吸氧或支气管扩张剂。无论症状轻重，均需送医监测血钙水平和心电图，静脉注射钙剂可能是必要的。延误处理会导致不可逆损伤，因此现场急救与专业医疗同样重要。

　　7. Peterson, I.; Craw, P. A. Tetrahedron Lett., 1989, 30, 5799.8. Clarke, P. A.; Grist, M.; Ebden, M.; Wilson, C.; Ble, A. J. Tetrahedron, 2005, 61, 353. 9. Chr. Norrild, J.; Pedersen, C.; Defaye, J. Carbohydr. Res., 1996, 291, 85.

　　疼痛:具有迟发性、顽固性、剧烈性特点。疼痛出现的时间与接触的氢氟酸浓度有关。接触50%以上浓度的氢氟酸，疼痛和皮损常立即发生；接触低浓度时，数小时始出现疼痛及皮肤灼伤。浓度越低，疼痛潜伏时间越长。故许多患者在时间重视伤情，当感觉到疼痛后已然错过佳的治疗时间。进行性加重:灼伤部位皮肤初表现为红斑、部肿胀，疼痛不显，逐渐变为淡青或灰白水疱，疱液暗红浑浊，而后表面变黑且质硬，疼痛剧烈。眼睛接触高浓度氢氟酸会迅速形成白假膜样混浊，处理不及时可引起角膜穿孔。

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　　11、去除二氧化硅利用湿法刻蚀方法去除晶圆表面的二氧化硅。12、前置氧化利用热氧化法在晶圆上形成一层薄的氧化层，以减轻后续氮化硅沉积工艺所产生的应力。

　　13、 氮化硅的淀积利用低压化学气相沉积方法（LPCVD）淀积氮化硅薄膜，用来定义出器件隔离区域，使不被氮化硅遮盖的区域，可被氧化而形成组件隔离区。

　　14、元件隔离区的掩膜形成利用光刻技术，在晶圆上涂布光刻胶，进行光刻胶曝光与显影，接着将氧化缘区域的光刻胶去除，以定义出器件隔离区。

　　准确定位每个区域的光刻工艺;

　　(3)向晶片中添加材料的氧化、淀积和离子注入;

　　(4)从晶片上去除材料的刻蚀工艺。

　　这些工序中多数都要求“热处理”,也就是说,晶片在炉中经历热循环。

　　多晶硅是一种无定形(非晶体)形式的硅。正如17章所述,栅上的硅在氧化层上生长时,不能形成单晶。目前主流的都是硅，现在也逐渐由氮化镓，砷化镓，碳化硅等等这些材料，记住一个特点，它们都是半导体。