萝岗工业55%氢氟酸厂商

名称:萝岗工业55%氢氟酸厂商

供应商:广州市希芮化工有限公司

价格:面议

最小起订量:1/吨

地址:广东省广州市天河区黄村西路80号1001房

手机:13434165990

联系人:李朝海 (请说在中科商务网上看到)

产品编号:223656027

更新时间:2026-01-07

发布者IP:14.19.46.32

详细说明
产品参数
品牌:希芮
公司行业:化工
服务项目:过氧化物
公司区域:广州
用途:污水处理
产品优势
产品特点: 安徽 中成 洗染专用保险粉、中成雕白块(粉),双氧水、氢氟酸、(进口/国产)珠碱、纯碱、聚丙烯酰铵离子,焦亚硫酸钠,亚硫酸钠、聚合氯化铝 磷酸,片碱、磷酸三钠,五水偏硅酸钠各种电镀原料,洗染原料,污水处理原料。
服务特点: 广东省内可送货上门:省外支持物流发货。

  萝岗工业55%氢氟酸厂商

  氢氟酸与其他酸的对比

  与盐酸、硫酸等强酸相比,氢氟酸的独特之处在于其分子渗透性和与硅的强反应能力。硫酸主要通过脱水性造成烧伤,而氢氟酸则通过氟离子的生化毒性引发深层损伤。硝酸的氧化性更强,但氢氟酸对玻璃的腐蚀性无可比拟。此外,氢氟酸的中和需特异性钙剂,而普通酸烧伤仅需清水冲洗。这些差异使得氢氟酸事故处理更具挑战性,常规酸防护措施可能不足以应对其风险。

  我当年也有过一次氢氟酸中毒,远没有这次严重,皮肤也没黑,但是骨头已经被腐蚀了,吃了18个月钙片,关键的是,每天定时定点的骨头发痒,挠不到,痛苦,睡不着觉,无法集中精神。曾经一度痛苦的我想把自己手指头剁了。氢氟酸是公安部发布的《剧毒物品品名表》(GA58-93),中的A类剧毒化学品,少的量(20mg/kg)即可致死,大概与砒霜的毒性差不多吧。

  LD50我就没查到,查到了LC50:1044 mg/m3(大鼠吸入),一米方米一克多氢氟酸气体就很危险了。

  白或无透明的正方晶系结晶,商品呈片状,在-14.8℃-126.1℃下NH4HF2--H20体系中没有水合物,略带酸味,在空气中易潮解,微溶于乙醇,易溶于冷水,在热水中分解,水溶液呈强酸性,在较高温度下能升华,能腐蚀玻璃,氟化氢铵有度,对皮肤有腐蚀性,宜密闭于塑料容器中.主要用于磨砂玻璃生产中玻璃刻蚀剂(与氢氟酸并用),可用作化学试剂、发酵工业和防腐剂、由氧化铍制金属铍的溶剂及硅钢板的表面处理剂。还用于制造陶瓷、镁合金、锅炉给水系统和蒸汽发生系统的清洗脱垢,以及油田砂石的酸化处理。也用作烷基化异构化催化剂组分。

  萝岗工业55%氢氟酸厂商

  工业领域:氟化氢可以制备其他具有工业价值的无机氟化合物,包括冰晶石,六氟铝酸钠,氟化铝。无机氟化合物包括氟化钠和六氟化铀也可以用于生产氢氟酸。其他用途包括玻璃蚀刻或加工(石英提纯),除莠剂,除去金属表面氧化物和稀有金属提纯(采矿和钻井作业),半导体和电子行业,荧光灯泡和清洗液。在工业领域,氢氟酸的主要用途是去除金属氧化物,其他用途包括家庭除锈和除污渍以及汽车清洗。汽车清洗是应用化学产品集中的领域。在日常汽车清洗中,一般仍继续采用氢氟酸,因为氢氟酸具有相对低廉的成本,尤其是大量购买时,成本更低(洗车操作的标准程序是将10%~12%氢氟酸溶液和其他成分加入到55加仑水中进行稀释)。平均而言,采用氢氟酸清洗剂成本比采用其他清洁剂便宜5美元,或者以清洗剂的体积计则浓度为8%的氢氟酸溶液比其他清洁剂每加仑便宜3美元至5美元。生产商建议氢氟酸与水的稀释比例为1∶30,但是这个比例通常根据温度、水质和需要的配方强度而改变。研究表明氢氟酸可以溶解铜和钨,同时具有选择性的钛蚀刻能力。氢氟酸和硅前驱体复配可以保护二氧化硅。氢氟酸清洗液中若存在过氧化氢会导致铜的溶解率受到抑制。这种现象是由于界面氧化铜形成造成的,氧化铜在氢氟酸中的溶解速度较慢。反应动力学研究确定氢氟酸和氧气浓度符合一阶动力学。氢氟酸可以选择性剥离钛膜,移除等离子体刻蚀聚合物或残留物,同时抑制一些物质的蚀刻速率,如钨、铜、二氧化硅、碳化硅、Si3N2和掺杂二氧化硅的碳。由于氢氟酸具有溶解铁氧化物和硅基污染物的能力,可以将其用于产生高压蒸汽的预调试锅炉。氢氟酸可以溶解一些氧化物如五氧化二钽和三氧化二钽,也应用于溶解粉末状岩石样品。类似用途如氢氟酸被用来从硅酸盐岩中提取有机化石。含化石岩可直接浸入到酸中,或应用硝酸纤维素膜(溶于乙酸戊酯),硝酸纤维素膜依附于有机成分,并能溶解岩石。稀氢氟酸(1~3%w/w)与有机酸或盐酸组合应用于石油工业,刺激岩层增产石油和天然气。

  参考:Razavi-7章 CMOS工艺技术-519暴力讲解半导体中的“氮化硅”

  制造从约1mm厚的p型硅晶片开始。在清洁和抛光工序后,在晶片表面生长一层作为保护层的二氧化硅薄层,见图17.8(a)。接着,制作n阱,光刻工序包括光刻胶涂敷、用n阱掩模版进行紫外线曝光和选择性刻蚀,然后进行n卧离子注入,见网17.8(b),之后,去除无用的光刻校和氧化层.见图17.8(C)。