详细说明
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产品参数
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品牌:希芮
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公司行业:化工
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服务项目:过氧化物
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公司区域:广州
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用途:污水处理
- 产品优势
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产品特点:
安徽 中成 洗染专用保险粉、中成雕白块(粉),双氧水、氢氟酸、(进口/国产)珠碱、纯碱、聚丙烯酰铵离子,焦亚硫酸钠,亚硫酸钠、聚合氯化铝 磷酸,片碱、磷酸三钠,五水偏硅酸钠各种电镀原料,洗染原料,污水处理原料。
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服务特点:
广东省内可送货上门:省外支持物流发货。
安徽工业级50%氢氟酸用途
氢氟酸的安全防护措施
处理氢氟酸需穿戴防酸手套(如丁基橡胶)、面罩和耐腐蚀围裙,工作区域应配备紧急淋浴器和眼冲洗装置。储存需使用聚乙烯或聚四氟乙烯容器,避免与玻璃、金属接触。泄漏时需用碳酸钙或石灰中和,严禁直接用水冲洗(可能扩大污染)。实验室使用时需在通风橱内操作,并备好葡萄糖酸钙解毒剂。员工应定期接受安全培训,熟悉应急预案,确保事故发生时能迅速采取中和、冲洗等关键措施。
致突变性[24] DNA损伤:黑腹果蝇吸入1300ppb(6周)。性染体缺失和不分离:黑腹果蝇吸入2900ppb。细胞遗传学分析:大鼠吸入1mg/m3,每天6h,共24d(间断性)。5.其他[25] 大鼠吸入中毒浓度(TCLo):4980μg/m3(孕1~22d),引起胎死。 1.生态毒性 暂无资料 2.生物降解性 暂无资料 非生物降解性 暂无资料1、摩尔折射率:无可用的
23、 热氧化利用氧化技术,在晶圆表面形成一层氧化层。24、 NMOS 源和漏形成涂布光刻胶后,利用光刻技术形成NMOS源与漏区域的屏蔽,再利用离子注入技术将砷元素注入源与漏区域,而后将晶圆表面的光刻胶去除。
25、 PMOS 源和漏形成利用光刻技术形成PMOS源及漏区域的屏蔽之后,再利用离子注入技术将硼元素注入源及漏区域,而后将晶圆表面之光刻胶去除。
26、 未掺杂的氧化层化学气相淀积利用等离子体增强化学气相沉积( PECVD )技术沉积一层无掺杂的氧化层,保护器件表面,免于受后续工艺。27、 CMOS 源和漏的活化与扩散利用退火技术,将经离子注入过的漏及源进行电性活化及扩散处理。
安徽工业级50%氢氟酸用途
十年过去了,现在还时不时的指头痒痒,要挠一挠!氢氟酸,是一种无透明、具有强烈刺激性气味的液体,是氟化氢气体的水溶液。 它是一种弱酸,但在一定浓度下,其酸性表现却强烈。 氢氟酸为引人注目的特性还是其强的腐蚀性。它能强烈地腐蚀金属、玻璃和含硅的物体,这种腐蚀能力甚至超过了许多其他强酸。氢氟酸与金属反应时,会生成氢气和相应的金属氟化物,这一特性使得它在蚀刻玻璃、电镀表面处理等工业领域有着广泛的应用。但同时,这种腐蚀性也带来了大的隐患,如吸入氢氟酸蒸气或接触其液体都可能造成严重的灼伤和腐蚀。
39、氮化硅的淀积
利用PECVD 沉积出氮化硅膜,形成保护层。
40、PAD的形成
利用光刻技术在晶圆表层制作出金属焊盘(Pa)的屏蔽图形。利用活性离子蚀刻技术蚀刻出焊盘区域,以做为后续集成电路封装工艺时连接焊线的接触区。41、 将元件予以退火处理此一步骤的目的是让器件有佳化的金属电性接触与性,至此一个CMOS晶体管完成。