寮步工业级氢氟酸最新价格

　　氢氟酸的工业应用

　　氢氟酸在工业中用途广泛，尤其在半导体制造、石油炼化和金属加工领域。在电子行业，它用于蚀刻硅晶圆，清除表面氧化物层；在石化工业中，它作为催化剂参与烷基化反应，生产高辛烷值汽油。此外，氢氟酸还用于不锈钢酸洗、稀土提取和制冷剂合成。尽管其危险性高，但因无可替代的化学性质，工业上仍大量使用，并采取严格的防护措施，如密闭操作、防腐蚀设备及应急冲洗装置。

　　11、去除二氧化硅利用湿法刻蚀方法去除晶圆表面的二氧化硅。12、前置氧化利用热氧化法在晶圆上形成一层薄的氧化层，以减轻后续氮化硅沉积工艺所产生的应力。

　　13、 氮化硅的淀积利用低压化学气相沉积方法（LPCVD）淀积氮化硅薄膜，用来定义出器件隔离区域，使不被氮化硅遮盖的区域，可被氧化而形成组件隔离区。

　　14、元件隔离区的掩膜形成利用光刻技术，在晶圆上涂布光刻胶，进行光刻胶曝光与显影，接着将氧化缘区域的光刻胶去除，以定义出器件隔离区。

　　参考:Razavi-7章 CMOS工艺技术-519暴力讲解半导体中的“氮化硅”

　　制造从约1mm厚的p型硅晶片开始。在清洁和抛光工序后,在晶片表面生长一层作为保护层的二氧化硅薄层,见图17.8(a)。接着,制作n阱,光刻工序包括光刻胶涂敷、用n阱掩模版进行紫外线曝光和选择性刻蚀,然后进行n卧离子注入,见网17.8(b),之后,去除无用的光刻校和氧化层.见图17.8（C）。

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　　19、 电氧化层的形成此步骤为制做CMOS的关键工艺，利用热氧化法在晶圆上形成高品质的二氧化硅，做为电氧化层。20、 电多晶硅的淀积利用低压化学气相沉积（LPCVD）技术在晶圆表面沉积多晶硅，以做为连接导线的电。

　　21、 电掩膜的形成涂布光刻胶在晶圆上，再利用光刻技术将电的区域定义出来。

　　22、 活性离子刻蚀利用活性离子刻蚀技术刻蚀出多晶硅电结构，再将表面的光刻胶去除。

　　氢氟酸防腐可选用北京志盛威华化工有限公司生产的zs-1033耐氢氟酸防腐涂料。ZS-1033耐氢氟酸（HF）防腐涂料选用改性酚醛树脂、重晶石、纳米铬粉、防介质固体填料等特种材料精加工而成，涂层致密稳定，耐强酸，是耐氢氟酸（HF）腐蚀效果好。ZS-1033涂料技术参数:≤150℃ ≥0.5Mpa ≥5Mpa

　　1.8g/ cm3

　　age;24h 50%HF(浸泡): 300d涂层无变化