江门工业50%氢氟酸用途

　　氢氟酸的历史与发现

　　氢氟酸的发现可追溯至17世纪，当时瑞典化学家舍勒首次从萤石（CaF₂）中制得氟化氢。19世纪初，法国科学家盖·吕萨克和泰纳尔提纯了无水氢氟酸，并发现其腐蚀玻璃的特性。工业规模化生产始于20世纪，随着制冷剂和原子能需求增长。历史上，氢氟酸曾用于铀浓缩（曼哈顿计划），也因战争用途蒙上阴影。如今，其应用更偏向民用高科技领域，但安全争议始终存在。

　　19、 电氧化层的形成此步骤为制做CMOS的关键工艺，利用热氧化法在晶圆上形成高品质的二氧化硅，做为电氧化层。20、 电多晶硅的淀积利用低压化学气相沉积（LPCVD）技术在晶圆表面沉积多晶硅，以做为连接导线的电。

　　21、 电掩膜的形成涂布光刻胶在晶圆上，再利用光刻技术将电的区域定义出来。

　　22、 活性离子刻蚀利用活性离子刻蚀技术刻蚀出多晶硅电结构，再将表面的光刻胶去除。

　　(二)氢鼓泡和氢脆氢氟酸介质与碳钢接触生成氟化铁和氢原子: Fe十2HF→FeF2十2H 氟化铁是一种致密的锈蚀物，附在金属表面形成一种保护膜，使氟化氢的扩散速度降低。对设备起到保护作用。但当介质温度超过65℃时，该层锈蚀物的保护膜就将剥落，使金属继续被腐蚀。 腐蚀反应产生的氢原子对钢材有很强的渗透能力。这种渗透能力与温度有关，温度越高，渗透越强。(三)应力腐蚀应力腐蚀是材料在应力和特定介质共同作用下所引起的材料开裂。在氢氟酸中碳钢和蒙乃尔合金均可能产生应力腐蚀开裂。这种应力腐蚀是随温度的增加而加剧。

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　　28、 淀积含硼磷的氧化层加入硼磷杂质的二氧化硅有较低的溶点，硼磷氧化层(BPSG)加热到摄氏800度时会有软化流动的特性，可以利用来进行晶圆表面初级平坦化，以利后续光刻工艺条件的控制。29、 接触孔的形成涂布光刻胶，利用光刻技术形成层接触金属孔的屏蔽。再利用活性离子刻蚀技术刻蚀出接触孔。30、 溅镀 Metal1利用溅镀技术，在晶圆上溅镀一层钛／氮化钛／铝／氮化钛之多层金属膜。

　　氢氟酸由无水氟化氢生成，在常温下为无的气体或液体。氢氟酸可以由含氟化合物水解产生，含氟化合物包括羰基氟、三氟化硼、五氟化磷、四氟化硅、四氟化硫和火山排放物中含的三氟化磷。海洋喷雾和含氟岩石和土壤的风化产生的灰尘以及人类活动污染物是大气氟化合物的其他来源。当无水氟化氢被排放到空气中，与水蒸汽接触立即变成烟和白雾。通常生成的无水氟化氢纯度为99～99.9％，然而市场上氢氟酸主要是浓度为70％的溶液。工业上生产的电子和试剂级的氢氟酸浓度是5～52％。世界各地制造无水氟化氢基本上都通过氟化钙与硫酸进行反应，该反应式由Gay Lussac和Thernard发现，在1809年他们作为批化学家获得纯的氟化氢。当加热到538 K时，氟化钙和硫酸反应生成无水氟化氢气体和固体硫酸钙，反应式如下所示: