谢岗工业氢氟酸最新价格

　　氢氟酸与其他酸的对比

　　与盐酸、硫酸等强酸相比，氢氟酸的独特之处在于其分子渗透性和与硅的强反应能力。硫酸主要通过脱水性造成烧伤，而氢氟酸则通过氟离子的生化毒性引发深层损伤。硝酸的氧化性更强，但氢氟酸对玻璃的腐蚀性无可比拟。此外，氢氟酸的中和需特异性钙剂，而普通酸烧伤仅需清水冲洗。这些差异使得氢氟酸事故处理更具挑战性，常规酸防护措施可能不足以应对其风险。

　　致突变性[24]  DNA损伤:黑腹果蝇吸入1300ppb（6周）。性染体缺失和不分离:黑腹果蝇吸入2900ppb。细胞遗传学分析:大鼠吸入1mg/m3，每天6h，共24d（间断性）。5.其他[25]  大鼠吸入中毒浓度（TCLo）:4980μg/m3（孕1~22d），引起胎死。 1.生态毒性  暂无资料 2.生物降解性  暂无资料 非生物降解性  暂无资料1、摩尔折射率:无可用的

　　眼睛接触: 立即提起眼睑，用大量流动清水或生理盐水彻底冲洗至少15分钟。就医。

　　吸入: 迅速脱离现场至空气新鲜处。保持呼吸道通畅。呼吸困难时给输氧，不可进行人工呼吸，可能导致进行人工呼吸者本人吸入氟化氢气体。给予2-4%碳酸氢钠溶液雾化吸入。就医。

　　食入: 用水漱口，给饮牛奶或蛋清。就医。危险特性: 本品不燃，但能与大多数金属反应，生成氢气而引起爆炸。遇H发泡剂立即燃烧。腐蚀性强。

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　　15、氮化硅的刻蚀以活性离子刻蚀法去除氧化区域上的氮化硅。接着再将光刻胶去除。16、元件隔离区的氧化利用氧化技术，长成一层二氧化硅膜，形成器件的隔离区。

　　17、 去除氮化硅利用热磷酸湿式蚀刻的方法将其去除掉。

　　18、 利用氢氟酸去除电区域的氧化层

　　除去氮化硅后，将晶圆放入氢氟酸化学槽中，去除电区域的氧化层，以便能在电区域重新成长品质的二氧化硅薄膜，做为电氧化层。

　　前置氧化利用热氧化法生长一层二氧化硅薄膜，目的是为了降低后续生长氮化硅薄膜工艺中的应力(stress)，氮化硅具有很强的应力，会影响晶圆表面的结构，因此在这一层氮化硅及硅晶圆之间，生长一层二氧化硅薄膜来减缓氮化硅与硅晶圆间的应力。3、淀积氮化硅利用低压化学气相沉积（LPCVD）的技术，沉积一层氮化硅，用来做为离子注入的mask及后续工艺中，定义P 型井区域。

　　4、P阱的形成将光刻胶涂在晶圆上之后，利用光刻技术，将所要形成的P型阱区的图形定义出来，即将所要定义的P型阱区的光刻胶去除掉。