香洲工业55%氢氟酸专业生产

　　氢氟酸的储存与运输规范

　　氢氟酸储存需避光、低温，置于通风良好的防泄漏托盘内，远离活泼金属（如钠）和碱性物质。运输时须符合危险化学品法规，使用耐压聚乙烯桶并标注“腐蚀性”和“有毒”标志。车辆应配备防漏应急包，驾驶员需持有危险品运输资质。国际运输还需遵守《联合国关于危险货物运输建议书》，确保包装通过密封性和抗冲击测试。任何运输途中泄漏都需立即隔离现场，由专业人员处理。

　　周忠志主任得知张先生的右手为氢氟酸烧伤后，立刻引起高度警惕并建议其住院治疗。此时距离张先生受伤仅仅过去几小时，但其右手四指皮肤肿胀明显，指甲也变软发黑，剧痛无比！氢氟酸（Hydrofluoric Acid）是氟化氢气体的水溶液，清澈、无、发烟的腐蚀性液体，有剧烈刺激性气味。氢氟酸是一种弱酸，具有强的腐蚀性，能迅速腐蚀金属、玻璃和含硅的物体，甚至坚硬的骨骼。 周主任介绍，氢氟酸被广泛运用于工业领域，虽被定义为弱酸，但其腐蚀性与危害性却一点都不逊于硫酸、氢氧化钠等强酸强碱物质，可以说是现实中的“化骨水”！

　　23、 热氧化利用氧化技术，在晶圆表面形成一层氧化层。24、 NMOS 源和漏形成涂布光刻胶后，利用光刻技术形成NMOS源与漏区域的屏蔽，再利用离子注入技术将砷元素注入源与漏区域，而后将晶圆表面的光刻胶去除。

　　25、 PMOS 源和漏形成利用光刻技术形成PMOS源及漏区域的屏蔽之后，再利用离子注入技术将硼元素注入源及漏区域，而后将晶圆表面之光刻胶去除。

　　26、 未掺杂的氧化层化学气相淀积利用等离子体增强化学气相沉积( PECVD )技术沉积一层无掺杂的氧化层，保护器件表面，免于受后续工艺。27、 CMOS 源和漏的活化与扩散利用退火技术，将经离子注入过的漏及源进行电性活化及扩散处理。

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　　剧毒。具有强腐蚀性，能烧伤皮肤并有渗透至骨骼的危险。对玻璃等硅酸盐有腐蚀作用，铂、橡胶、聚乙烯、聚四氟乙烯等不受腐蚀。4.对空气和湿气比较敏感。该试剂具有大的毒性和腐蚀性，带上防护面罩和手套后在通风效果好的通风橱中小心操作和使用。 5.稳定性[26]  稳定 6.禁配物[27]  易燃或可燃物 7.避免接触的条件[28]  潮湿空气

　　8.聚合危害[29]  不聚合1.储存注意事项[30] 储存于阴凉、通风的库房。远离火种、热源。库温不超过30℃，相对湿度不超过80%。应与易（可）燃物、食用化学品分开存放，切忌混储。储区应备有泄漏应急处理设备。 2.属一级无机酸性腐蚀性物品,遇金属能放出氢气，遇火星易引起燃烧或爆炸，因而不可与金属粉末、氧化剂、碱、有机物等共贮混运。 1.硫酸法:将干燥后的萤石粉和硫酸按配比1:(1.2～1.3)混合，送入回转式反应炉内进行反应，炉内气相温度控制在280℃±10℃。反应后的气体进入粗馏塔，除去大部分硫酸、水分和萤石粉，塔釜温度控制在100～110℃，塔顶温度为35～40℃。粗氟化氢气体再经脱气塔冷凝为液态，塔釜温度控制在20～23℃，塔顶温度为-8℃±1℃，然后进入精馏塔精馏，塔釜温度控制在30～40℃，塔顶温度为19.6℃±0.5℃。精制后的氟化氢用水吸收，即得氢氟酸产品。其

　　准确定位每个区域的光刻工艺;

　　(3)向晶片中添加材料的氧化、淀积和离子注入;

　　(4)从晶片上去除材料的刻蚀工艺。

　　这些工序中多数都要求“热处理”,也就是说,晶片在炉中经历热循环。

　　多晶硅是一种无定形(非晶体)形式的硅。正如17章所述,栅上的硅在氧化层上生长时,不能形成单晶。目前主流的都是硅，现在也逐渐由氮化镓，砷化镓，碳化硅等等这些材料，记住一个特点，它们都是半导体。