东升化工氢氟酸价格优惠

氢氟酸中毒的急救方法
氢氟酸暴露后，急救的黄金时间是前几分钟。皮肤接触需立即用大量清水冲洗15分钟以上，随后涂抹葡萄糖酸钙凝胶以结合游离氟离子；若无凝胶，可用镁盐或钙盐溶液湿敷。眼睛接触时需持续冲洗至少30分钟并尽快就医。吸入蒸气者应转移至空气新鲜处，给予吸氧或支气管扩张剂。无论症状轻重，均需送医监测血钙水平和心电图，静脉注射钙剂可能是必要的。延误处理会导致不可逆损伤，因此现场急救与专业医疗同样重要。

氟气可以用于制备氢氟酸，化学方称式为2H₂O+2F?=4HF+O₂↑，氢氟酸在铝和铀的提纯、蚀刻玻璃、半导体工业中除去硅表面的氧化物，多种含氟有机物的合成等方面都起着重要作用。氟气还可用于制备氟化钠，氟化钠可作为木材防腐剂、农业杀虫剂、酿造业杀菌剂、医防腐剂、焊接助焊剂、碱性锌酸盐镀锌添加剂等。　　2、利用氟气和塑胶的反应可以制备含氟塑胶，含氟塑胶具有耐高温、耐油、耐高真空及耐酸碱、耐多种化学品的特点，已应用于现代航空、导弹、火箭、宇宙航行、舰艇、原子能等尖端技术及汽车、造船、化学、石油、电讯、仪器、机械等工业领域。

5% HF(浸泡): 　　100d涂层无变化 　　HF(汽熏)：
　　100d涂层无变化
耐10% H2SO4：　　300d涂层无变化
　　使用范围：涂刷在各种和氢氟酸(HF)接触的各种基材上。
　　氢氟酸中的氢离子对人体组织有脱水和腐蚀作用，而氟是活泼的非金属元素之一，与氢离子结合较牢(电离常数K=3.5×10^-4)。

39、氮化硅的淀积 　　利用PECVD 沉积出氮化硅膜，形成保护层。
　　40、PAD的形成
　　利用光刻技术在晶圆表层制作出金属焊盘（Pa）的屏蔽图形。利用活性离子蚀刻技术蚀刻出焊盘区域，以做为后续集成电路封装工艺时连接焊线的接触区。41、 将元件予以退火处理此一步骤的目的是让器件有佳化的金属电性接触与性，至此一个CMOS晶体管完成。

15、氮化硅的刻蚀以活性离子刻蚀法去除氧化区域上的氮化硅。接着再将光刻胶去除。　　16、元件隔离区的氧化利用氧化技术，长成一层二氧化硅膜，形成器件的隔离区。 　　17、 去除氮化硅利用热磷酸湿式蚀刻的方法将其去除掉。
　　18、 利用氢氟酸去除电区域的氧化层
　　除去氮化硅后，将晶圆放入氢氟酸化学槽中，去除电区域的氧化层，以便能在电区域重新成长品质的二氧化硅薄膜，做为电氧化层。