萝岗工业氢氟酸厂家价格

　　氢氟酸在实验室中的使用

　　实验室中，氢氟酸常用于消解硅酸盐样品或清洗石英器皿，但操作需极度谨慎。建议使用低浓度（如5%以下）溶液以降低风险，并在通风橱中佩戴双重防护手套。盛放容器必须标有醒目警示标签，与其他酸类分开放置。实验后废液需单独收集，用氢氧化钙中和至pH>7后再处置。因危险性高，许多实验室已逐步改用替代试剂（如氟化铵缓冲液），但某些特殊反应仍需氢氟酸参与。

　　氢氟酸是氟化氢气体的水溶液,为无透明至淡黄冒烟液体。有刺激性气味。分子式 HF-H2O。相对密度 1.15～1.18。沸点 112.2℃(按重量百分比计为38.2%)。市售通常浓度:约47% 。是弱酸。氟化氢的水溶液，其溶质的质量分数可达35.35%。无溶液。浓时密度1.14g/cm3，沸点393.15K（120℃）。发烟雾。具弱酸性，但浓时的电离度比稀时大而与一般弱电解质有别。腐蚀性强，对牙、骨损害较严重。对硅的化合物有强腐蚀性。应在密闭的塑料瓶内保存。用HF溶于水而得。用于雕刻玻璃、清洗铸件上的残砂、控制发酵、电抛光和清洗腐蚀半导体硅片（与HNO3的混酸）。因为氢原子和氟原子间结合的能力相对较强，使得氢氟酸在水中不能解离。

　　前置氧化利用热氧化法生长一层二氧化硅薄膜，目的是为了降低后续生长氮化硅薄膜工艺中的应力(stress)，氮化硅具有很强的应力，会影响晶圆表面的结构，因此在这一层氮化硅及硅晶圆之间，生长一层二氧化硅薄膜来减缓氮化硅与硅晶圆间的应力。3、淀积氮化硅利用低压化学气相沉积（LPCVD）的技术，沉积一层氮化硅，用来做为离子注入的mask及后续工艺中，定义P 型井区域。

　　4、P阱的形成将光刻胶涂在晶圆上之后，利用光刻技术，将所要形成的P型阱区的图形定义出来，即将所要定义的P型阱区的光刻胶去除掉。

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　　分子式:NH4HF2分子量: 57.4

　　危编号: 1727

　　质量标准:(HG/T3586-1999)

　　氢氟酸含量(NH4HF2)% 98.0/97.0

　　干燥减量%，≤ 3.0

　　灼烧残渣含量%,≤ 0.2

　　硫酸盐(以SO4计)含量%,≤ 0.1

　　氟硅酸铵含量%≤1.5

　　8、去除氮化硅将晶圆表面的氮化硅，利用热磷酸湿式蚀刻的方法将其去除掉。9、N阱离子注入利用离子注入技术，将磷打入晶圆中，形成n 型阱。而在P 型阱的表面上由于有一层二氧化硅膜保护，所以磷元素不会植入打入P 型阱之中。

　　10、N阱退火离子注入之后会严重地破坏硅晶圆晶格的完整性。所以掺杂离子注入之后的晶圆经过适当的处理以回复原始的晶格排列。退火就是利用热能来消除晶圆中晶格缺陷和内应力，以恢复晶格的完整性。同时使注入的掺杂原子扩散到硅原子的替代位置，使掺杂元素产生电特性。