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　　按制作工艺分集成电路按制作工艺可分为半导体集成电路和膜集成电路。膜集成电路又分类厚膜集成电路和薄膜集成电路。按集成度高低分集成电路按集成度高低的不同可分为:SSIC小规模集成电路(SallScaleIntegratedcircuits)；MSIC中规模集成电路(MediumScaleIntegratedcircuits)；模拟集成电路又称线性电路，用来产生、放大和处理各种模拟信号(指幅度间变化的信号。例如半导体收音机的音频信号、录放机的磁带信号等)，其输入信号和输出信号成比例关系。而数字集成电路用来产生、放大和处理各种数字信号(指在时间上和幅度上离散取值的信号。例如3G手机、数码相机、电脑CPU、数字电视的逻辑控制和重放的音频信号和视频信号)。

　　晶振输入输出连接的电阻作用是产生负反馈，放大器工作在高增益的线性区，一般在M欧级，输出端的电阻与负载电容组成网络，提供180度相移，同时起到限流的作用，反向器输出对晶振过驱动，损坏晶振。和晶振串联的电阻常用来预防晶振被过分驱动。晶振过分驱动的后果是将逐渐损耗减少晶振的接触电镀，这将引起频率的上升，并导致晶振的早期失效，又可以讲drivelevel调整用。用来调整drivelevel和发振余裕度。

　　负载电容是指在电路中跨接晶体两端的总的外界有效电容。他是一个测试条件，也是一个使用条件。应用时一般在给出负载电容值附近调整可以得到频率。此电容的大小主要影响负载谐振频率和等效负载谐振电阻。一般情况下，增大负载电容会使振荡频率下降，而减小负载电容会使振荡频率升高。负载电容是指晶振的两条引线连接IC块内部及外部有效电容之和，可看作晶振片在电路中串接电容。b、环标注法使用多，现举例如下:四环电阻五环电阻(精密电阻)电阻的标位置和倍率关系如下表所示:四环电阻读法匹配电容-----负载电容是指晶振要正常震荡所需要的电容。一般外接电容，是为了使晶振两端的等效电容等于或接近负载电容。要求高的场合还要考虑ic输入端的对地电容。一般晶振两端所接电容是所要求的负载电容的两倍。这样并联起来就接近负载电容了。