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　　导体的电阻通常用字母R表示，电阻的单位是欧姆(ohm)，简称欧，符号是Ω。比较大的单位有千欧(kΩ)、兆欧(MΩ)(兆=百万，即100万)。电容:电容(或称电容量)是表征电容器容纳电荷本领的物理量。我们把电容器的两板间的电势差增加1伏所需的电量，叫做电容器的电容。电容器从物理学上讲，它是一种静态电荷存储介质(就像一只水桶一样，你可以把电荷充存进去，在没有放电回路的情况下，刨除介质漏电自放电效应/电解电容比较明显，可能电荷会yong久存在，这是它的特征)，它的用途较广，它是电子、电力领域中不可缺少的电子元件。主要用于电源滤波、信号滤波、信号耦合、谐振、隔直流等电路中，电容的符号是C。

　　那么，是否人体一旦静电不受控，裸手触摸静电敏感IC，就会导致IC损坏么?而事实上，确实有企业验过，很少有发现IC(HBM-200V)损坏，即使是人体静电达1000V。要解决这个问题，就需要深入到了解IC器件ESD失效机理的层面上。例如IC器件中常见的MOS(MetalOxdideSemiconductor)管，其主要ESD失效机理是电缘层(电介质层)在遭受过高的静电场作用下发生击穿，瞬间产生大ESD电流导致缘层发生热损坏，从而导致IC的原有设计功能失效。由此认识得出，IC器件中缘层受到较高的静电场作用，才是IC是否发生ESD失效的根本因素。

　　双蒸水浸洗:在室内温度下，将在酒精中侵泡过的IC芯片在双蒸水中浸洗，进一步除去有机化学残余和颗粒物残渣，侵泡時间为1-5min；清理进行。根据数次去胶、去有机化学残余和残渣的流程将损毁电子设备中的IC芯片回收，不但将废料的IC芯片回收再次运用，巨大地减少了資源的浪费，并且回收的IC芯片不会受到损害，了IC芯片的品质，不危害再度应用。有机化学侵泡:将回收的IC芯片在IC有机化学中分刘海数次侵泡，除去IC芯片表层的胶，次侵泡在室内温度下侵泡，以后的侵泡溫度为80-100°C，每一次侵泡時间为I-15min；制冷:在室内温度下且在阴凉处当然制冷1-5min；酒精侵泡:在室内温度下，将在IC有机化学中侵泡过的IC芯片放进酒精中侵泡，除去IC芯片表层的有机化学残余和颗粒物残渣，侵泡時间为1-5min；