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　　丝印工艺现在的IC大厂早已淘汰，但很多芯片翻新因成本原因仍用丝印工艺，这也是判断依据之一，丝印的字会略微高于芯片表面，用手摸可以感觉到细微的不平或有发涩的感觉。不过需留意的是，因近来小型激光打标机的售价大幅降低，翻新IC越来越多的采用激光打标，某些新片也会用此方法改变字标或干脆重打以"提高"芯片的档次，新旧芯片间的差价远远无法挽回环境污染的损失，这一点大家一定要心里有数!芯片销售的代理一般在写字楼办公，华强、赛格等电子市场中也有很多经销新货的，多数在大厅周围的单独房间中，也有少数柜台，大家购买芯片时应注意识别。区别原装正货和翻新货的主要方法是:看芯片表面是否有打磨过的痕迹。凡打磨过的芯片表面会有细纹甚至以前印字的微痕，有的为掩盖还在芯片表面涂有一层薄涂料，看起来有点发亮，无塑胶的质感。看印字。现在的芯片大多数采用激光打标或用芯片印刷机印字，字迹清晰，既不显眼，又不模糊且很难擦除。翻新的芯片要么字迹边沿受清洗剂腐蚀而有"锯齿"感，要么印字模糊、深浅不位置不正、容易擦除或过于显眼。

　　负载电容是指在电路中跨接晶体两端的总的外界有效电容。他是一个测试条件，也是一个使用条件。应用时一般在给出负载电容值附近调整可以得到频率。此电容的大小主要影响负载谐振频率和等效负载谐振电阻。一般情况下，增大负载电容会使振荡频率下降，而减小负载电容会使振荡频率升高。负载电容是指晶振的两条引线连接IC块内部及外部有效电容之和，可看作晶振片在电路中串接电容。b、环标注法使用多，现举例如下:四环电阻五环电阻(精密电阻)电阻的标位置和倍率关系如下表所示:四环电阻读法匹配电容-----负载电容是指晶振要正常震荡所需要的电容。一般外接电容，是为了使晶振两端的等效电容等于或接近负载电容。要求高的场合还要考虑ic输入端的对地电容。一般晶振两端所接电容是所要求的负载电容的两倍。这样并联起来就接近负载电容了。

　　桥堆好坏与管脚判别好坏:利用桥堆相邻两个管脚步间都一个PN结(正向导通，反向阻断)如果有相邻两个管脚正反向电阻都无穷大(开路)或很小接近0(短路)情况，桥堆已经损坏。管脚:万用表R×1K选定一管脚接到用万用表黑表笔上，红表笔则分别接到其余三个管脚。如果3个阻值都很小，则所选定管脚为桥堆输出负端，若有大有小，则为桥堆输入电源端。2:测量发射与某一基间的正向电阻，阻值较大的为b1，阻值较小的为b2。单结晶体管不但外形与普通三管相似，而且与NPN三管测量时也有相似之处，单晶体管(双基二管)的发射e对两个基b1b2均呈现PN结的正向特性。正小反大，与普通NPN型晶体管特性一样，利用单晶管的b1与b2之间没有PN结的特性，可以与普通NPN管相区别。b1与b2间正反向电阻都一样约为3-10KΩ，而NPN型晶体管的集电与发射之间是一个正向PN结和一个反向PN结串联，用万用表测量时正反向阻值都很大。