铜陵电源管理芯片CR5221兼容型号西安鼎芯微电子SC3152是一款高性能AC/DC电流模式控制芯片，主要应用于正激工作模式，通过配置RI脚电阻，调节开关频率最高可达500KHZ;芯片内置独特的过载保护机制；内置线电压低压保护功能，提高系统的安全性；通过配置SS脚电容，调节软启动时间预防系统启动时MOS的应力；频率抖动功能获得更好的EMI效果，间歇模式可降低开关损耗。SC3152主要用于大功率LED显示屏电源，防雨电源，电动车充电器，工业电源等。芯片提供SOP-8,DIP-8无铅封装。可直接替换NCP1252A..无需更改外围器件。

　　市场格方面，2020年，射频前端芯片的市场规模已经超过200亿美元。具体企业市占率方面，我们可以看一下这张图片。wifi芯片这个领域呢，有较高的技术壁垒、规模壁垒和认壁垒，目前Wi-Fi芯片行业竞争格较为稳定。目前WiFi芯片领域的主要参与者分为两类，一类是以博通、高通、德州仪器、Marvell、瑞昱、联发科为首的传统IC设计企业;另一类是以乐鑫科技、南方硅谷、联盛德微电子为代表的新锐物联网IC设计商。

　　PN结半导体二管PN结的形成:将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上，PN结的形成过程在它们的交界面就形成PN结。PN结的形成过程:如图所示，在无外电场和其它激发作用下，参与扩散运动的多子数目等于参与漂移运动的少子数目，从而达到动态平衡，形成PN结。扩散运动:物质总是从浓度高的地方向浓度低的地方运动，这种由于浓度差而产生的运动称为扩散运动。空间电荷区:由于扩散运动使得PN结交界面产生一片复合区域，可以说这里没有多子，也没有少子。因为刚刚扩散过来就会立刻与异性复合，此运动不断发生着。P区一侧出现负离子区，N区出现正离子区，它们基本上是固定的，称为空间电荷区。电场形成:空间电荷区形成内电场。空间电荷加宽，内电场增强，其方向由N区指向P区，阻止扩散运动的进行。漂移运动:在电场力作用下，载流子的运动称漂移运动。

　　不断地越过发射结进入基区，形成发射电流Ie。同时基区多数载流子也向发射区扩散，但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度，可以不考虑这个电流，因此可以认为发射结主要是电子流。2、基区中电子的扩散与复合电子进入基区后，先在靠近发射结的附近密集，渐渐形成电子浓度差，在浓度差的作用下，促使电子流在基区中向集电结扩散，被集电结电场拉入集电区形成集电电流Ic。也有很小一部分电子（因为基区很薄）与基区的空穴复合，扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三管的放大能力。3、集电区收集电子由于集电结外加反向电压很大，这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散，同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电主电流Icn。另外集电区的少数载流子（空穴）也会产生漂移运动，流向基区形成反向饱和电流，用Icbo来表示，其数值很小，但对温度却异常敏感。半导体与集成电路的关系半导体是指导电性能介于导体和缘体之间的材料。