中山集成电路OB2273国产西安鼎芯微电子SC2585A是一款高度集成的电流模式PWM 控制芯片，主要用于高性能、低待机功耗和低成本的单端反激式电源适配器中。SC2585A 的VCC 极低的启动电流和低运行电流为启动和工作低功耗要求的设计中提供了可靠的应用保证。SC2585A 提供了包括电流限制(OCP)、过载保护(OLP)、电压锁定(UVLO)保护、超温保护(OTP)和输出过电压保护(OVP)等自动恢复的全面保护覆盖。以及优异的抗EMI 电磁干扰性能。可直接替换OB2362A.

　　相邻信道抑制能力用于测试当相邻信道具有强信号时接收器的接受能力。检测杂波抑制能力杂散响应或者杂波是由接收器内部或接收器与外部信号的共同作用产生的。这两种杂波信号都需要被检测。在进行杂波信号检测时，可以用一个负载代替接收器的天线，这样可以接收器的输入信号没有干扰信号，接下来把接收器的输出连接到频谱分析仪。这样，系统内部产生的毛刺都会在频谱分析仪上出现。系统内部产生的杂波一般源于接收器电源的谐波，系统时钟或者本振信号。

　　占用带宽跟信道功率密切相关，定义为给定总调制信号功率的百分比所覆盖多少频谱。时间测试常用于TDMA系统中的突发信号测试。这些测试主要用来评估载波包络是否能满足预期的要求，它们包括了突发信号宽度，上升时间，下降时间、开启时间、关闭时间、峰值功率、发射功率、关闭功率以及占空比等。时间测试可以相邻频率信道之间的干扰以及信号开启或者关闭的时隙切换时的干扰小。调制品质的测试通常涉及到发射信号的解调并与理想的数学计算出来的发射信号或参考信号进行比较。实际的测量随着不同的调制方式和不同的标准会有不同的方法。

　　三管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。理论原理晶体三管（以下简称三管）按材料分有两种:锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用多的是硅NPN和锗PNP两种三管，（其中，N是负的意思（代表英文中Negative），N型半导体在高纯度硅中加入磷取代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而P是正的意思（Positive）是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电）。