铜陵电源OB2338替代电源的数字控制器已经逐渐出现，数字控制器可以用程序和算法来对电源系统进行控制，在实现方式上更加灵活方便。西安鼎芯微电子有着资深的电源管理芯片研发工程师，我们紧随电源的发展，为电源系统研发更加强大优秀的电源管理芯片。

　　1=Ic/Ie(Ic与Ie是直流通路中的电流大小)式中:1也称为直流放大倍数，一般在共基组态放大电路中使用，描述了射电流与集电电流的关系。=Ic/Ie表达式中的为交流共基电流放大倍数。同理与1在小信号输入时相差也不大。对于两个描述电流关系的放大倍数有以下关系三管的电流放大作用实际上是利用基电流的微小变化去控制集电电流的巨大变化。2三管是一种电流放大器件，但在实际使用中常常通过电阻将三管的电流放大作用转变为电压放大作用。放大原理1、发射区向基区发射电子电源Ub经过电阻Rb加在发射结上，发射结正偏，发射区的多数载流子(自由电子）

　　三管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。理论原理晶体三管（以下简称三管）按材料分有两种:锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用多的是硅NPN和锗PNP两种三管，（其中，N是负的意思（代表英文中Negative），N型半导体在高纯度硅中加入磷取代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而P是正的意思（Positive）是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电）。

　　膜集成电路又分类厚膜集成电路和薄膜集成电路。集成电路按规模大小分为:小规模集成电路（SSI）、中规模集成电路（MSI）、大规模集成电路（LSI）、超大规模集成电路（VLSI）、特大规模集成电路（ULSI）。集成电路按导电类型可分为双型集成电路和单型集成电路。双型集成电路的制作工艺复杂，功耗较大，代表集成电路有TTL、ECL、HTL、LST-TL、STTL等类型。单型集成电路的制作工艺简单，功耗也较低，易于制成大规模集成电路，代表集成电路有CMOS、NMOS、PMOS等类型。