佛山电源管理芯片RT7738国产西安鼎芯微电子SC2585A是一款高度集成的电流模式PWM 控制芯片，主要用于高性能、低待机功耗和低成本的单端反激式电源适配器中。SC2585A 的VCC 极低的启动电流和低运行电流为启动和工作低功耗要求的设计中提供了可靠的应用保证。SC2585A 提供了包括电流限制(OCP)、过载保护(OLP)、电压锁定(UVLO)保护、超温保护(OTP)和输出过电压保护(OVP)等自动恢复的全面保护覆盖。以及优异的抗EMI 电磁干扰性能。可直接替换OB2362A.

　　PN结半导体二管PN结的形成:将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上，PN结的形成过程在它们的交界面就形成PN结。PN结的形成过程:如图所示，在无外电场和其它激发作用下，参与扩散运动的多子数目等于参与漂移运动的少子数目，从而达到动态平衡，形成PN结。扩散运动:物质总是从浓度高的地方向浓度低的地方运动，这种由于浓度差而产生的运动称为扩散运动。空间电荷区:由于扩散运动使得PN结交界面产生一片复合区域，可以说这里没有多子，也没有少子。因为刚刚扩散过来就会立刻与异性复合，此运动不断发生着。P区一侧出现负离子区，N区出现正离子区，它们基本上是固定的，称为空间电荷区。电场形成:空间电荷区形成内电场。空间电荷加宽，内电场增强，其方向由N区指向P区，阻止扩散运动的进行。漂移运动:在电场力作用下，载流子的运动称漂移运动。

　　通过产业调研发现,就目前来看,目前,由于西方国家的出口限制,我国在芯片技术,设备上受制于人的面尚未扭转.国内芯片设计公司规模偏小,技术落后,缺乏自主知识产权.2003年,全国芯片设计公司前十强的产值之和仅..4亿美元,而美国排名第十的芯片设计企业产值为6.5亿美元.国内芯片制造企业几乎都是"代工厂",自主能力薄弱,拥有自主产品和自主品牌的公司凤毛麟角.据了解,我国电子信息产业研发投入超过销售额10%的企业寥寥无几,只有华为,中兴通讯少数几家.大多数企业的研发投入低于2%,与外国公司差距悬殊.如韩国三星2003年研发投入近30亿美元,占销售额的8%.真正能在IC设计市场上盈利的更多的是从事低端设计的公司.消费类产品的订单是国内IC设计公司追逐的目标,但消费类产品的技术含量往往不高.

　　芯片制造工艺和技术水准迅速提升,是中芯北京12英寸生产厂的建成投产,使我国芯片生产技术从0.25微米,0.18微米进入到0.13微米,0.11微米的前沿水准.从"中国制造"到"中国创造",随着我国企业自主能力的增强,催生了一批拥有自主知识产权的"中国芯",如方舟,龙芯,爱国者,星光,网芯,展讯,中视一号等.引人瞩目的是,2004年上半年,位于上海张江高科技园区的展讯公司研制出我国块拥有自主知识产权,领先的第三代(3G)手机芯片,了手机芯片核心技术被国外通信公司的面.2004年底,复旦大学微电子研究院研制出基于清华大学DMB-T标准系统,拥有自主知识产权的"中视一号"数字电视芯片,是我国数字电视产业化进程的重大突破.