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　　首先，电子设备的核心是半导体芯片。而为了提高电路的密度，芯片的特征尺寸朝着减小的趋势发展，电场强度随距离的减小而线性增加，如果电源电压还是原来的5V，产生的电场强度足以把芯片击穿。所以，这样，电子系统对电源电压的要求就发生了变化，也就是需要不同的降压型电源。为了在降压的同时保持率，一般会采用降压型开关电源。 同时，许多电子系统还需要高于供电电压的电源，比如在电池供电设备中，驱动液晶显示的背光电源，普通的白光LED驱动等，都需要对系统电源进行升压，这就需要用到升压型开关电源。

　　优秀深圳市科技和的设备和芯片解密成功的领域的优势的技术。C8051F 系列已是完整的突破此系列单片机解密过程中，C8501F132 芯片 C805芯片解密1F 系列的典型难解芯片是的技术解密团队的反复试验研究，发展强大，一个和裂缝成功率高，，解密的 C8051F132 芯片上欢迎芯片解密方案周期、 C8051F 系列芯片已解密的一般客户联系技术的需要，我们将站在客户的利益角度提供的芯片解密服务。

　　但我们不能说 DDR3 是远远低于芯片解密 GDDR3 内存带宽，认识到:

　　带宽=x 250 X 256 X 8/8 的内存总线带宽增殖因子/8 位的内存时钟频率下 2000年=64 GB/s 的 256 位 GDDR3 了带宽，DDR3 基本能达到，可以说带宽的组合是在相同但延迟差异巨大，DDR3 （80ns） 延迟是 GDDR3 (0.8ns) 50 ~ 100。这就是为什么使用粒子 DDR3 内存显卡性能比 GDDR3 粒子对大由于对原始得多。当前 DDR3 规格有一般低于 GDDR3，但规格之间的差距很小。关系可以引用取决于特定的应用程序和延迟 DDR2 1066 和 DDR3-1066年。