马鞍山芯片CR6853兼容西安鼎芯微电子有限公司随着世界能源的不断匮乏，“能源之星”（EnergyStar）对电源的待机功耗和转换效率提出了新的更高的要求。作为一款电源的控制核心——电源管理芯片就要为电源满足能效标准制定出新的控制策略。比如:电源的0mW待机策略，ZVS、ZCS开关控制策略，更精准的同步整流技术，采用有源钳位控制等。

　　本征半导体的电流:电子电流+空穴电流。自由电子和空穴所带电荷性不同，它们运动方向相反。载流子:运载电荷的粒子称为载流子。导体电的特点:导体导电只有一种载流子，即自由电子导电。本征半导体导电的特点:本征半导体有两种载流子，即自由电子和空穴均参与导电。四、P型半导体和N型半导体P型半导体:在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了P型半导体。多数载流子:P型半导体中，空穴的浓度大于自由电子的浓度，称为多数载流子，简称多子。少数载流子:P型半导体中，自由电子为少数载流子，简称少子。受主原子:杂质原子中的空位吸收电子，称受主原子。P型半导体的导电特性:它是靠空穴导电，掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能也就越强。N型半导体:在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置形成N型半导体。多子:N型半导体中，多子为自由电子。少子:N型半导体中，少子为空穴。施主原子:杂质原子可以提供电子，称施主原子。N型半导体的导电特性:掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能也就越强。结论:多子的浓度主要决定于杂质浓度。少子的浓度主要决定于温度。

　　芯片制造工艺和技术水准迅速提升,是中芯北京12英寸生产厂的建成投产,使我国芯片生产技术从0.25微米,0.18微米进入到0.13微米,0.11微米的前沿水准.从"中国制造"到"中国创造",随着我国企业自主能力的增强,催生了一批拥有自主知识产权的"中国芯",如方舟,龙芯,爱国者,星光,网芯,展讯,中视一号等.引人瞩目的是,2004年上半年,位于上海张江高科技园区的展讯公司研制出我国块拥有自主知识产权,领先的第三代(3G)手机芯片,了手机芯片核心技术被国外通信公司的面.2004年底,复旦大学微电子研究院研制出基于清华大学DMB-T标准系统,拥有自主知识产权的"中视一号"数字电视芯片,是我国数字电视产业化进程的重大突破.

　　以上海为的地区,产业链完整,产业集聚度高.以北京,天津为核心的环渤海区,具有研发,人才优势.中芯在此建成了我国条12英寸生产线,初步构筑了产业高地.以广州,深圳为中心的珠三角,是我国大的信息产品制造和出口基地,依托巨大的市场需求,开始进军芯片产业.以成都,西安为中心城市的中西部地区,人力,电力,水资源,并拥有传统的电子工业基础,随着英特尔,中芯的芯片封装企业落户成都,英飞凌研发中心落户西安,该地区的芯片产业开始崛起.