南通集成电路CR5221兼容西安鼎芯微电子有限公司随着世界能源的不断匮乏，“能源之星”（EnergyStar）对电源的待机功耗和转换效率提出了新的更高的要求。作为一款电源的控制核心——电源管理芯片就要为电源满足能效标准制定出新的控制策略。比如:电源的0mW待机策略，ZVS、ZCS开关控制策略，更精准的同步整流技术，采用有源钳位控制等。

　　1=Ic/Ie(Ic与Ie是直流通路中的电流大小)式中:1也称为直流放大倍数，一般在共基组态放大电路中使用，描述了射电流与集电电流的关系。=Ic/Ie表达式中的为交流共基电流放大倍数。同理与1在小信号输入时相差也不大。对于两个描述电流关系的放大倍数有以下关系三管的电流放大作用实际上是利用基电流的微小变化去控制集电电流的巨大变化。2三管是一种电流放大器件，但在实际使用中常常通过电阻将三管的电流放大作用转变为电压放大作用。放大原理1、发射区向基区发射电子电源Ub经过电阻Rb加在发射结上，发射结正偏，发射区的多数载流子(自由电子）

　　其中测试工作包括了晶圆生产之后的测试和封装之后的测试。由于我本人是一名数字IC开发工程师，对模拟的内容不是清楚，我就讲讲数字IC这一块的。设计流程中的个部分就是系统需求，主要在这个环节进行芯片规格的制定、方案的制定，从而确认芯片的架构和功能，负责这一块工作的主要是项目经理或芯片架构师。设计流程中的第二个部分就是IC设计，主要完成芯片功能的实现，所以这里的IC设计又可以称之为功能设计，之所以称之为功能设计主要是与后面的DFT设计相区别。IC设计包括模拟IC设计和数字IC设计。数字IC设计这一块，是使用硬件设计语言HDL来完成对芯片功能的实现。负责这一块工作的主要是数字IC设计工程师或RTL设计工程师。

　　三管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。理论原理晶体三管（以下简称三管）按材料分有两种:锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用多的是硅NPN和锗PNP两种三管，（其中，N是负的意思（代表英文中Negative），N型半导体在高纯度硅中加入磷取代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而P是正的意思（Positive）是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电）。