泰州电源管理芯片RT7738国产电源的数字控制器已经逐渐出现，数字控制器可以用程序和算法来对电源系统进行控制，在实现方式上更加灵活方便。西安鼎芯微电子有着资深的电源管理芯片研发工程师，我们紧随电源的发展，为电源系统研发更加强大优秀的电源管理芯片。

　　相邻信道抑制能力用于测试当相邻信道具有强信号时接收器的接受能力。检测杂波抑制能力杂散响应或者杂波是由接收器内部或接收器与外部信号的共同作用产生的。这两种杂波信号都需要被检测。在进行杂波信号检测时，可以用一个负载代替接收器的天线，这样可以接收器的输入信号没有干扰信号，接下来把接收器的输出连接到频谱分析仪。这样，系统内部产生的毛刺都会在频谱分析仪上出现。系统内部产生的杂波一般源于接收器电源的谐波，系统时钟或者本振信号。

　　本征半导体的电流:电子电流+空穴电流。自由电子和空穴所带电荷性不同，它们运动方向相反。载流子:运载电荷的粒子称为载流子。导体电的特点:导体导电只有一种载流子，即自由电子导电。本征半导体导电的特点:本征半导体有两种载流子，即自由电子和空穴均参与导电。四、P型半导体和N型半导体P型半导体:在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了P型半导体。多数载流子:P型半导体中，空穴的浓度大于自由电子的浓度，称为多数载流子，简称多子。少数载流子:P型半导体中，自由电子为少数载流子，简称少子。受主原子:杂质原子中的空位吸收电子，称受主原子。P型半导体的导电特性:它是靠空穴导电，掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能也就越强。N型半导体:在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置形成N型半导体。多子:N型半导体中，多子为自由电子。少子:N型半导体中，少子为空穴。施主原子:杂质原子可以提供电子，称施主原子。N型半导体的导电特性:掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能也就越强。结论:多子的浓度主要决定于杂质浓度。少子的浓度主要决定于温度。

　　同道抑制能力测试与灵敏度测试相似。测试时，在相同RF信道上加上干扰信号后检测接收信号的扭曲水平。接收器能保持对所需信号的灵敏度同时抑制干扰信号的能力就是同道抑制能力。信道外或阻塞测试用于验当有信道外信号出现时接收器是否能正常工作以及在此条件下接收器被干扰后所产生的杂波响应。通常信道外测试包括:杂波抑制能力，它与同道抑制相似，但是干扰信号是频段的干扰信号而不于同信道内的。互调抑制能力(intermodulaTIonimmunity)用于测试当接收器的输入包含多个频率分量时所产生的失真信号。