芜湖集成电路OB2365T兼容西安鼎芯微电子有限公司成立于2017年，是一家从事模拟和数字集成电路及其相关系统的产品设计、生产与销售的高新技术企业。公司位于西安高新技术产业开发区，在深圳设有销售分支以及技术服务支持中心，能快速满足客户各种需求。

　　同道抑制能力测试与灵敏度测试相似。测试时，在相同RF信道上加上干扰信号后检测接收信号的扭曲水平。接收器能保持对所需信号的灵敏度同时抑制干扰信号的能力就是同道抑制能力。信道外或阻塞测试用于验当有信道外信号出现时接收器是否能正常工作以及在此条件下接收器被干扰后所产生的杂波响应。通常信道外测试包括:杂波抑制能力，它与同道抑制相似，但是干扰信号是频段的干扰信号而不于同信道内的。互调抑制能力(intermodulaTIonimmunity)用于测试当接收器的输入包含多个频率分量时所产生的失真信号。

　　两者除了电源性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射e（Emitter）、基b(Base)和集电c(Collector)。如上图所示当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电电源Ec要高于基电源Eb。在制造三管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正偏，发射区的多数载流子（电子）及基区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射电流子。

　　射频芯片被誉为模拟芯片皇冠上的明珠。射频芯片又分为射频收发芯片和射频前端芯片。而目前射频前端芯片的复杂度更高，所以我们重点关注一下射频前端芯片。射频前端包括"1:"滤波器（Filter）、功率放大器（PA）、开关（Switch/Tuner）、低噪声放大器（LNA）四种器件"。这四种器件2020年市场规模占别为47%、32%、13%、8%。射频前端器件的技术难度从大到小为:滤波器、功率放大器（PA）、开关/低噪声放大器（LNA）。