FRAM是集合了ROM和RAM两种存储器的优势。

　　擅于进行高速写入、具有长的耐久力和低功耗。

　　富士通半导体提供了采用串行（I2C和SPI）和并行外设的FRAM产品，目前4Kb至4Mb的产品也已量产。

　　FRAM的优势

　　与传统存储器相比，FRAM具有下列优势:

　　非易失性

　　即使没有上电，也可以保存所存储的信息。

　　与SRAM相比，无需后备电池（环保产品）

　　更高速度写入

　　像SRAM一样，可覆盖写入

　　不要求改写命令

　　对于擦/写操作，无等待时间

　　写入循环时间 =读取循环时间

　　写入时间: E2PROM的1/30,000

　　具有更高的读写耐久性

　　确保最大1012次循环（100万亿循环）/位的耐久力

　　耐久性:超过100万次的 E2PROM

　　具有更低的功耗

　　不要求采用充电泵电路

　　功耗:低于1/400的E2PROM

　　与SRAM相比

　　独立的FRAM存储器，因为具有Pseudo-SRAM I/F，因此与SRAM之间具有的高度兼容性。

　　利用FRAM取代SRAM，您可以获得的优势如下: 1. 总的成要缩减

　　采用SRAM，你需要检测其电池状态。

　　但是FRAM却让你免去了进行电池检测的困扰。

　　而且 FRAM不需要电池槽、防倒流二极管和更多的空间，而这些都是SRAM所需的。

　　FRAM的单芯片解决方案可以节省空间和成本。

　　维护自由；无需更换电池 缩小的器件尺寸；可以省去大量的器件 2.环保型产品（减少了环境负担）

　　用过的电池成为工业废料。

　　在生产过程中，与SRAM相比，FRAM能够降低一半的CO2排放量。

　　FRAM对于环保有益。

　　无废弃电池 降低工业负荷，实现环保 与E2PROM/闪存相比

　　与传统的非易失性存储器，如E2PROM和闪存相比，FRAM具有更快的写入、更高耐久力和更低功耗等优势。

　　用FRAM取代E2PROM和闪存还具有更多优势，具体如下: 1. 性能提升

　　FRAM的高速写入能够在电源中断的瞬间备份数据。

　　不仅如此，与E2PROM和闪存相比，FRAM能够更频繁的记录数据。

　　当写入数据时，E2PROM和闪存需要高压，因此，消费的功率比FRAM更多。

　　如果嵌入FRAM，那么电池供电器件中的电池的寿命将更长。

　　总之，FRAM具有下列优势: 能够在电源中断的瞬间备份数据 能够进行频繁的数据记录 能够保证更长的电池寿命 2. 总的成本缩减

　　在为每个产品写入出厂参数时，与E2PROM 和闪存相比，FRAM可以缩减写入时间。

　　而且，FRAM可以为您提供一种芯片解决方案，避免采用几个存储器来保存数据，而E2PROM却不能实现。

　　因此，利用FRAM可以降低总成本！

　　A.当写入出厂参数时，缩短了写入时间

　　B.减掉了产品上很多的部件