E3和T3系列1200V IGBT3 模块的性能差异

　　1.1200V IGBT的芯片工艺通过优化第三代1200V IGBT系列产品——E3的性能有了进一步的提升。

　　提升后的产品就是T3系列的IGBT。

　　T3系列IGBT减小了集射极饱和电压(VCEsat) 和关断损耗(Eoff) 。

　　(更多IGBT3的信息，见应用手册AN2003-03)这种优化后的T3器件工作在更高的工作频率。

　　功率损耗减小和电流密度提高扩大了IGBT3模块系列产品的应用范围。

　　两种IGBT3（典型的）集射极饱和电压 (VCEsat)均为1.7V。

　　在结温Tvj=25°C时E3和T3没有差别。

　　从T3系列IGBT在最大结温Tvjop=125°C和额定电流 (ICnom)时的输出特性图可看出，T3系列的集射极饱和电压 (VCEsat)比E3系列减小了大约100mV。

　　EUPEC IGBT（1U）:FF300R17KE3  FZ800R16KF4、FZ1200R16KF4、FZ1800R16KF4、BSM400GA170DLC、FZ800R17KF6C_B2、FZ1200R17KF6C_B2、FZ1600R17KF6C_B2、FZ1800R17KF6C_B2、FZ2400R17KF6C_B2、FZ400R17KE3、FZ600R17KE3、FZ1200R17KE3、FZ1600R17KE3、FZ2400R17KE3、FZ2400R17KE3_B9、FZ3600R17KE3、FZ1200R17KE3_B2、FZ1600R17KE3_B2、FZ1800R17KE3_B2、FZ2400R17KE3_B2、FZ3600R17KE3_B2、BSM200GA170DN2S、BSM200GA170DN2、BSM300GA170DN2、BSM300GA170DN2S、BSM200GA170DLC、BSM300GA170DLC、FZ1600R12KL4C、FZ2400R12KL4C、FZ400R12KS4、FZ600R12KS4、FZ800R12KS4_B2、FZ300R12KE3G、FZ300R12KE3B1G、FZ600R12KE3、FZ600R12KE3B1、FZ800R12KE3、FZ1200R12KE3、FZ1600R12KE3、FZ2400R12KE3、FZ2400R12KE3_B9、FZ3600R12KE3、BSM200GA120DN2、BSM200GA120DN2C、BSM200GA120DN2S、BSM300GA120DN2、BSM300GA120DN2S、BSM400GA120DN2C、BSM400GA120DN2S、FZ2400R12HP4_B9、FZ3600R12HP4、FD400R12KE3_B5、FD300R12KS4_B5、FZ800R12KF4、FZ1050R12KF4、FZ1200R12KF4、FZ1600R12KF4、FZ1800R12KF4、FZ2400R12KF4、BSM200GA120DLC、BSM200GA120DLCS、BSM300GA120DLC、BSM300GA120DLCS、BSM400GA120DLC、BSM400GA120DLCS、BSM600GA120DLC、BSM600GA120DLCS、FZ800R12KL4C、FZ1200R12KL4C。