BSM75GB170DN2半桥快速二极管Infineon模块•半桥 •包括快速续流二极管 •与绝缘金属基板封装 •RG上，分=22欧姆

　　英飞凌推出针对体二极管硬式整流进行了优化的快速二极管英飞凌推出针对体二极管硬式整流进行了优化的快速二极管OptiMOSTM(FD)

　　英飞凌科技股份公司日前推出200V和250V OptiMOSTM FD，进一步完善了中压产品组合。

　　作为针对体二极管硬式整流进行优化的最新一代功率MOSFET，这些器件更加可靠耐用，具有更低的过冲电压和更低的反向恢复损耗，有助于实现最可靠的系统，特别是在硬开关应用中，如通讯系统、工业电源、D类音频放大器、电机控制(适用于48–110V系统)和直流/交流逆变器等。

　　提高可靠性，同时节省成本

　　OptiMOS FD家族具备针对最高性能标准而优化的反向恢复电荷(Qrr)。

　　相比标准的200V和250V OptiMOS，200V和250V OptiMOS FD的Qrr降低了40%。

　　这意味着通过降低过冲电压大幅提升了系统可靠性，从而最大限度地减少了对缓冲电路的需求。

　　英飞凌科技系统业务部门直流/直流业务高级主管Richard Kuncic表示:“英飞凌再一次突破了200V和250V电压级产品的极限。

　　设立新的基准是我们不懈奋进的动力。

　　OptiMOS FD家族秉承了我们充分利用开关性能的成功之道。

　　这个最新一代功率MOSFET能为我们的客户节省工程设计费用，减轻设计工作量，特别是在硬开关应用中。

　　”

　　既简单又高效:相比当前市场上现有的200V和250V产品，全新OptiMOS FD改善了硬换向耐用性，从而可以在更为苛刻的条件下使用，如更高dv/dt、di/dt和电流密度。

　　这样一来，其使用非常简便，简化了设计流程。

　　此外，相比于可替代的器件，OptiMOS FD的导通电阻(RDS(on))最多可降低45%，FOM(Qg x Rdson)最多可降低65%，从而可以实现最高的效率和功率密度。

　　产品组合和供货情况OptiMOS FD 200V产品包括RDS(on)为11.7mΩ的D2PAK和RDS(on)为12mΩ的TO-220。

　　OptiMOS FD 250V产品包括RDS(on)为22 mΩ的TO-220。

　　型号BSM75GB170DN2  品牌Infineon  年份14+  包装10/包  封装IGBT模块  数量59/只  电流110A  电压1700V 全新eupec英飞凌品牌原装现货热卖