FDV301N , N沟道 MOSFET 晶体管, 0.22 A, Vds=25 V, 3针 SOT-23封装

　　产品详细信息

　　增强模式 N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor

　　增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。

　　这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。

　　MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor

　　Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。

　　先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。

　　Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

　　SST超捷系列: 

　　SST39VF010-70-4C-NHE      SST39VF010-70-4C-WHE  SST39VF020-70-4C-WHE      SST39VF040-70-4C-NHE  SST39VF040-70-4C-WHE      SST25VF080B-50-4C-S2AF  SST39VF1601-70-4C-EKE    SST39VF3201-70-4C-B3KE  SST39VF3201-70-4I-B3KE  SST39VF3201-70-4C-EKE    SST39VF6401B-70-4C-EKE  SST39VF800A-70-4C-EKE    SST49LF004B-33-4C-NHE    SST89E58R02-40-C-TQJE

　　深圳市宏芯微科技有限公司   欢迎您的询问，价格一定惊艳！来了就问下吧！！！