产品特性
CPU 配置
• 1K×13 位片内 ROM
• 32×8 位片内寄存器(SRAM, 通用寄存器)
• 5 级推栈用于子程序嵌套
• 电流小于 1.5 mA @5V / 4 MHz
• 典型值 15 μA @3V / 32kHz
• 典型值 1 μA@休眠模式
I/O 端口配置
• 2 组双向I/O 端口: P5, P6
• 12 个IO 引脚
• 唤醒端口: P6
• 6 个可编程下拉I/O 引脚
• 7 个可编程上拉I/O 引脚
• 7 个可编程开漏极I/O 引脚
• 外部中断: P60
工作电压范围
• 工作电压: 2.1V~5.5V @ 0°C ~70°C (商业级)
• 工作电压: 2.3V~5.5V@ -40°C ~85°C (工业级)
工作频率范围(基于2 个时钟周期)
• IRC 模式:
偏移率
IRC 频率 温度
(-40~85°C) 电压 制程总计
4 MHz ± 1% ± 3% @ 2.1~5.5V ± 2% ± 6%
16 MHz ± 1% ± 1% @ 4.0~5.5V ± 2% ± 4%
8 MHz ± 1% ± 2% @ 3.0~5.5V ± 2% ± 5%
1 MHz ± 1% ± 3% @ 2.1~5.5V ± 2% ± 6%
• 晶振模式:
DC~20 MHz / 2clks @ 5V
DC~8 MHz / 2clks @ 3V
DC~4 MHz / 2clks @ 2.1V
• ERC 模式:
DC~2 MHz / 2clks @ 2.1V
外围配置
• 8 位实时时钟/计数器（TCC），可编程选择其信号源、触
发边沿，溢出产生中断
• 上电复位和3 个可编程的复位电压
上电复位电压:1.8V(默认)，LVR:4.0V,3.5V 和2.7V
• 代码选项可供选择每条指令占用周期数:2 或4 个时钟周
期
• 高抗 EFT
3 个可用中断源:
• TCC 溢出中断
• 输入端口状态改变中断(从休眠模式唤醒)
• 外部中断
特殊功能:
• 可编程自由运行的看门狗定时器
• 休眠省电模式
• 可选择振动模式
• 可编程振荡器起振时间的预分频
封装类型
• 14-引脚 DIP 300mil : EM78P153KD14J
• 14-引脚 SOP 150mil: EM78P153KSO14J
• 10-引脚 SSOP 150mil: EM78P153KSS10J
• 10-引脚 SSOP 150mil: EM78P153KASS10J
注: 绿色产品不包含有害物质. 5.1 操作寄存器
5.1.1 R0 (间接寻址寄存器)
R0 并非实际存在的寄存器。
它的主要功能是作为间接寻址指针。
任何以R0 作为指针的
指令实际上是对RAM 选择寄存器（R4）所指的数据进行操作。
5.1.2 R1 (定时器/计数器)
TCC引脚的外部信号边沿或内部指令周期时钟触发（由CONT寄存器的TE位设
定），会使TCC寄存器加1。
像其它寄存器一样可读/写。
通过复位PAB 位(CONT-3)设定。
如果PAB位 (CONT-3) 被复位，预分频器分配给TCC。
只有当给TCC寄存器赋值时，预分频计数器的内容将被清零。
生成1024×13 位程序指令代码的片内OTP ROM地址。
一个程序页为1024字长。
复位条件下，R2所有位均清“0”。
"JMP"指令直接加载程序计数器的低10位。
因此，"JMP" 允许PC跳转到一个程序页
的任何位置。
"CALL"指令首先加载PC的低10位，然后将PC+1推入堆栈。
因此，子程序的入口地
址可位于一个程序页的任何位置。
"RET" ("RETL k", "RETI")加载栈顶值到程序计数器中。
任何向R2写入的指令 (例如. "ADD R2,A", "MOV R2,A", "BC R2,6", 等) 将会使PC的
第九和第十位(A8~A9)清零。
因此，经计算后的跳转位置只能位于一个程序存储器
页的头256地址空间中。
所有指令均是单指令周期指令(fclk/2 或 fclk/4)，但会改变R2寄存器内容的指令除
外，这些指令的执行需要一个或多个指令周期。
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