1 综述
EM78P372N 是采用低功耗高速CMOS 工艺设计开发的8 位微控制器。
该控制器有片内2KX13 位一次性编程
ROM(OPT-ROM)。
它提供一个保护位用以保护用户在OTP 存储器内的程序不被读取，三个代码选项以满足
用户的需要。
基于增强的OTP-ROM 特性，EM78P372N 可方便地开发和校验用户代码，另外，使用开发与编程工具，使
此OTP 代码更新更加简单和有效，用户可利用义隆烧录器很容易地烧录其开发代码。
2 产品特性
CPU 配置
• 2K×13 位片内 ROM
• 80×8位片内寄存器 (SRAM)
• 8级堆栈用于子程序嵌套
• 4级可编程电压检测(LVD) : 4.5V, 4.0V, 3.3V, 2.2V
• 3级可编程电压复位(LVR) : 4.0V, 3.5V, 2.7V
• 5V/4 MHz 工作条件下耗电流低于 1.5 mA
• 3V/32kHz 工作条件下耗电流典型值为 15 μA
• 休眠模式下耗电流典型值为 2 μA
I/O 端口配置
• 3 组双向I/O端口: P5, P6, P7
• 18 I/O 引脚
• 唤醒端口: P5
• 8 个可编程下拉I/O引脚
• 16 个可编程上拉I/O引脚
• 8 个可编程漏极开路I/O引脚
• 14 个可编程高灌I/O引脚
• 外部中断: P60
工作电压范围:
• 2.1V~5.5V at 0°C~70°C (商规)
• 2.3V~5.5V at -40°C~85°C (工规)
工作频率范围(基于2个时钟周期):
• 晶振模式: DC ~ 16 MHz, 4.5V;
DC ~ 8 MHz, 3V; DC ~ 4 MHz, 2.1V
• ERC模式: DC ~ 2 MHz, 2.1V;
• IRC 模式
振荡模式: 16 MHz, 4 MHz, 1 MHz, 8 MHz
偏移率
内部RC
频率 温度
(-40°C~85°C)
电压
(2.1V~5.5V) 制程 Total
4 MHz ±2% ±1% ±2% ±5%
16 MHz ±2% ±1% ±2% ±5%
8 MHz ±2% ±1% ±2% ±5%
1 MHz ±2% ±1% ±2% ±5%
以上四个主频都可通过编程设置ICE300N仿真器的四个
校正位来校正，OTP可由义隆烧录器自动校正。
快速启动时间，在XT模式(VDD: 5V, 晶振: 4 MHz, C1/C2:
15pF)下只需0.8ms, 在IRC模式(VDD: 5V, IRC: 4 MHz)下
只需10μs。
外设配置
• 8位实时时钟/计数器 (TCC)，其时钟源、边沿触发和溢
出中断可选
• 8通道解析度为12位的模数转换器
• 一对比较器或OP(偏移电压: 小于10mV)
• 两个脉宽调制器 (PWM)，8位分辨率
10个可用中断
• TCC 溢出中断
• 输入端口状态改变中断（可唤醒休眠模式）
• 外部中断
• ADC 转换完成中断
• 比较器状态改变中断
• 低电压检测(LVD) 中断
• PWM1~2 周期匹配中断
• PWM1~2 占空比匹配中断
特性:
• 可编程的自由运行看门狗定时器 (4.5 ms : 18 ms)
• 休眠省电模式
• 上电电压侦测器(1.9V ± 0.2V)
• 高抗EFT特性 (4MHz及以下抗EFT性能更好)
封装类型:
• 10-pin MSOP 118mil : EM78P372NMS10J/S
• 10-pin SSOP 150mil : EM78P372NSS10J/S
• 14-pin DIP 300mil : EM78P372ND14J/S
• 14-pin SOP 150mil : EM78P372NSO14J/S
• 16-pin SOP 150mil : EM78P372NSO16AJ/S
• 18-pin DIP 300mil : EM78P372ND18J/S
• 18-pin SOP 300mil : EM78P372NSO18J/S
• 20-pin DIP 300mil : EM78P372ND20J/S
• 20 pin SOP 300mil : EM78P372NSO20J/S
• 20 pin SSOP 209mil : EM78P372NSS20J/S
注: 绿色产品不含有害物质 功能描述
6.1 操作寄存器
6.1.1 R0 (间接寻址寄存器)
R0 不是一个在物理寄存器空间存在的寄存器。
它用于作为间接寻址指针，任何使用R0
作为存取数据指针的指令，实际上存取的是RAM选择寄存器(R4)所指向的数据。
6.1.2 R1 (定时时钟/计数器)
对来自TCC引脚的外部信号沿(边沿由CONT寄存器的第5位(TE)设置)或对内部指令
周期时钟进行加1计数。
与其它寄存器一样可读写。
TCC 预分频计数器分配给TCC使用。
下列任何一种情况发生，CONT寄存器内容被清零
• 给TCC寄存器赋值
• 给TCC预分频位赋值(CONT寄存器的第3, 2, 1, 0位)
• 上电复位，/RESET复位，或WDT溢出复位