FS225R12KE3中文技术参数 价格 标准包装:500，F 包装类型:F RoHS规范:IGBT 模块 产品描述:IGBT 模块 1200V 225A 3-PHASE 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Hex 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V 集电极—射极饱和电压:1.7 V 在25 C的连续集电极电流:325 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:1.15 kW 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:EconoPACK+ 栅极/发射极最大电压:+/- 20 V 最小工作温度:- 40 C 安装风格:Screw

　　深圳市安特凌科技有限公司 创建于 1997 年，是一家极具实力的IGBT功率模块半导体供应商，专注于国际著名品牌IGBT半导体元器件在亚太地区的代理销售和推广。

　　经过十年的不懈努力，安特凌已成为Infineon(英飞凌)、FUJI(富士)、MagnaChip(美格纳)、SEMIKRON(西门康)、MITSUBISHI(三菱)、EUPEC（欧派克）、SANREX(三社)、EPCOS(爱普科斯)、兰姆达（LAMBDA）香港的授权代理商和分销商。

　　产品主要应用在:变频器、逆变焊机、电机控制、高频感应加热、开关电源、逆变电源、商用电磁炉、汽车应用、伺服电机等领域。