详细说明
     台湾瑞新(杰瑞特科技)电子为一家台湾高科技IC设计公司.我们的IC芯片/晶圆在业界久负盛名.
    
     我们既可以给你提供成品高压MOS管.也可以给您提供MOS管寸晶圆.V.V均可提供.封装形式有
    
     TO-/F.TO-/.正宗原厂台系IC.质量稳定.良率高.从IC设计.到晶圆.到成品均自行设
    
    
     ()场效应管是电压控制器件.它通过VGS来控制ID,
()场效应管的输入端电流极小.因此它的输入电阻很大.
()它是利用多数载流子导电.因此它的温度稳定性较好,
()它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数,
()场效应管的抗辐射能力强,
()由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声.所以噪声低
    
     产品参数:
    
     电流:.A 电压:V~V
电阻:.Ω~.Ω 种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道 导电方式:增强型
用途:L/功率放大 材料:N-FET硅N沟道
开启电压: (V) 夹断电压: 标准(V)
跨导: 标准(μS) 极间电容: 标准(pF)
低频噪声系数: 标准(dB) 最大漏极电流: 标准(mA)
最大耗散功率: 标准(mW) 最大结温: ℃
常有封装:TO- TO-.TO-
    
     产品应用领域:
N TO- 用于WLed电源驱动.(SMC型号为SMCA)
LED灯.节能灯
个人电脑电源辅助系统
电视机.业晶电视
手机.MP/PDA
数码相机.DVD.机顶盒.交换机
传真机.打印机
节能灯专用V场效应管.CFL电源驱动MOS管
    
    
其他产品分类:
V高压MOS:
A.HA.A.HA.A替代N.N.N.N.N
V高压MOS:
HA.N.N.N.N替代N. N.N.N.N.N
    
    
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深圳市杰瑞特科技有限公司
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