详细说明
InGaAs光电探测器模块集成了InGaAs雪崩光电探测器、探测器驱动、信号检测放大、信号放大整形输出等部分,可应用于连续或者脉冲光信号的检测、放大整形及温度传感等领域。输出高稳定电压信号给用户,免去客户在使用雪崩光电探测器时的弱信号处理环节。电路久经考验,使用方便。全金属外壳可防止电磁辐射。电路适用范围宽,可驱动各种型号的InGaAs APD。也可根据客户需求进行定制。
特 点
·高响应度,高灵敏度 | ·低噪音 |
·高性能,低价格 | ·金属外壳,防电磁辐射 |
·5V电压输入 | ·使用方便 |
性能指标
参数 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 |
APD响应波长范围 | 900 | 1550 | 1700 | nm |
APD响应度 | 7 | 8.5 | 10 | uA/uW |
APD响应光敏面* | 50 | 80 | 200 | um |
APD驱动电压** | 38 | - | 65 | V |
输入工作电压 | 4.5 | 5 | 5.5 | V(DC) |
工作温度 | 0 | - | 50 | ℃ |
储藏温度 | -20 | - | 70 | ℃ |
最小输入光功率*** | -60 | -40 | - | dBm |
输入饱和光功率**** | - | 1 | 5 | mW |
输出饱和电压 | - | - | 3.8 | V |
带宽 | DC-1 | DC-10 | DC-200 | MHz |
噪音密度 | 10000 | 500 | 80 | nV/rt.Hz |
输入光接口 | 1:FC/APC 2:FC/PC可选 |
输出接口 | 1:SMA 2:BNC可选 |
光纤类型 | 1:SMF-28e+ 2:MM62.5 3:MM50可选 |
电路放大倍数***** | 0-100万倍 |
模块尺寸 | 100 *85*20mm |