产品特点（Product Features):

　　? Fast 35 ns Read/Write Cycle

　　? SRAM Compatible Timing Uses Existing SRAM Controllers Without Redesign

　　? Unlimited Read & Write Endurance

　　? Data Always Non-volatile for >20-years at Temperature

　　? One Memory Replaces Flash, SRAM, EEPROM and BBRAM in System for Simpler, More Efficient Design

　　? Replace battery-backed SRAM solutions with MRAM to eliminate battery assembly, reliability, and liability issues

　　? 3.3 Volt Power Supply

　　? Automatic Data Protection on Power Loss

　　? Commercial, Industrial, and Automotive Temperatures

　　? RoHS-Compliant SRAM-compatible TSOPII Package

　　? RoHS-Compliant SRAM-compatible BGA Package Shrinks Board Area By Three Times

　　产品系列（Product Family）:

　　Part Number

　　（型号）

　　Description

　　（描述）

　　OperatingTemperature

　　(操作温度）

　　MR2560A08BYS353.3 V 32Kx8 MRAM 44-TSOP Commercial

　　MR2560A08BYS35R3.3 V 32Kx8 MRAM 44-TSOP T&RCommercial

　　MR2560A08BMA353.3 V 32Kx8 MRAM 48-BGACommercial

　　MR2560A08BCYS353.3 V 32Kx8 MRAM 44-TSOP Industrial

　　MR2560A08BCYS35R3.3 V 32Kx8 MRAM 44-TSOP T&RIndustrial

　　MR2560A08BCMA353.3 V 32Kx8 MRAM 48-BGAIndustrial

　　MR2560A08BMYS353.3 V 32Kx8 MRAM 44-TSOP Automotive

　　MR2560A08BMYS35R3.3 V 32Kx8 MRAM 44-TSOP T&RAutomotive

　　MR2560A08BMMA353.3 V 32Kx8 MRAM 48-BGAAutomotive

　　产品pin脚定义（Pin Diagrams ）:

　　我司是美国Everspin半导体中国区指定代理.

　　Everspin MRAM是一种具有革命性的存储器，其原理是利用电子自旋的磁性结构，

　　来提供不会产生损耗的非挥发特性。Everspin MRAM可在集成了硅电路的磁性材

　　料中存储信息，以在单一、可无限使用的组件中提供SRAM的速度以及闪存的非挥发特性。

　　主要代理MRAM（非易失性存储器）,可完全替代SRAM,NvSRAM,F-RAM，EEPROM,BBSRAM,FLASH容量有:

　　串口:256Kbit,1Mbit,4Mbit

　　型号 容量 数据结构 总线速度 工作电压 工作温度 封装

　　MR25H256 256Kb 32K*8 40MHz 2.7V~3.6V C,M 8-DFN

　　MR25H10 1Mb 128K*8 40MHz 2.7V~3.6V C,M 8-DFN

　　MR25H40 4Mb 512K*8 40MHz 2.7V~3.6V C,M 8-DFN,8-DIP

　　并口（*8bit):256Kbit,1Mbit,4Mbit

　　型号 容量 数据结构 总线速度 工作电压 工作温度 封装

　　MR256A08B 256Kb 32K*8 35ns 2.7V~3.6V C,M 44TSOP,48-BGA

　　MR0A08B 1Mb 128K*8 35ns 2.7V~3.6V C,M 44TSOP,48-BGA

　　MR0D08B 1Mb 128K*8 45ns 2.7V~3.6V,I/O 1.8V Blank 48-BGA

　　MR2A08A 4Mb 512K*8 35ns 2.7V~3.6V C,M 44TSOP,48-BGA

　　MR4A08B 16Mb 2Mb*8 35ns 2.7V~3.6V C,M 44TSOP,48-BGA

　　并口（*16bit):1Mbit,4Mbit,16Mbit

　　型号 容量 数据结构 总线速度 工作电压 工作温度 封装

　　MR0A16A 1Mb 64K*16 35ns 2.7V~3.6V C,M 44TSOP,48-BGA

　　MR2A16A 4Mb 256K*16 35ns 2.7V~3.6V C,M 44TSOP,48-BGA

　　MR4A16B 16Mb 1Mb*16 35ns 2.7V~3.6V C,M 54TSOP,48-BGA

　　如有需要请随时和我们联系.

　　我们原厂供货，价格&交期较有优势.

　　谢谢！

　　Coco Lee(李女士)

　　Ramsun International Limited.

　　英尚国际有限公司

　　e_mail:coco@sramsun.com

　　Skype:coco-ramsun

　　我司产品可完全替代FRAM(铁电存储器）,NV-SRAM,MRAM,如有需要请随时和我们联系.

　　如以下型号:

　　CY14B064I CY14ME064 CY14B101KA CY14B108N

　　CY14B064P CY14B101Q CY14B101LA CY14B256KA

　　CY14B101Q CY14C101J CY14B101MA CY14E256LA

　　CY14B101I CY14B256P CY14B101NA CY14V101LA

　　CY14C101I CY14B256Q CY14B104K CY14V101NA

　　CY14B101P CY14B512I CY14B104LA CY14V104LA

　　CY14E256Q CY14B512P CY14B104M CY14V104NA

　　CY14MB064 CY14B512Q CY14B104NA STK11C88

　　CY14MB256 CY14B101Q CY14B108K STK14C88

　　CY14B108M STK16C88 CY14B108L STK15C88

　　FM23MLD16 FM25H20 FM1808 FM18W08

　　FM22L16 FM25V10 FM18L08 FM1808B

　　FM22LD16 FM25V05 FM24C512 FM28V010

　　FM21L16 FM25V02 FM24L256 FM25L256B

　　FM21LD16 FM25W256 FM24C256 FM25256B

　　FM28V100 FM25V01 FM24V05 FM24V10

　　FM28V020 FM25L512 FM24W256 FM24V01

　　FM24V02