深圳威敏特电子实业为华润华晶MOS管华南一级代理，请各位采购热烈采购！！！！

　　mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体

　　无锡华晶600V/650V系列MOS管（电源专属）:

　　1N60，2N60，4N60，4N65，5N60，6N60，7N60(日光灯，球泡灯)

　　8N60，10N60，12N60，20N60，2N65，8N65，10N65（开关电源系列）

　　1N60，2N60，4N60主要特性参数Features:

　　Fast Switching

　　Low ON Resistance(Rdson≤15Ω)

　　Low Gate Charge (Typical Data:5.0nC)

　　Low Reverse transfer capacitances(Typical:2.7pF)

　　100% Single Pulse avalanche energy Test

　　1.华晶600V高压系列的漏源击穿电压BVDS=600V:在VGS=0（增强型）的条件下，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS

　　2.华晶最大稳定漏源电流Id根据型号&封装的芯片大小有:0.8A，1A，1.2A, 1.5A, 2A

　　3.开启电压（又称阈值电压）Vgs（th）:华晶N沟道增强型MOS管，通过工艺上的改进，Vgs（th）约为2-4V

　　源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压

　　4.导通电阻RON :对华晶的NMOS管而言，RON的数值9-12Ω之间

　　导通电阻RON说明了VDS对ID的影响，是漏极特性某一点切线的斜率的倒数，

　　5.华晶600V高压系列的栅源击穿电压BVGS=+/-20V，+/-30V

　　在增加栅源电压过程中，使栅极电流IG由零开始剧增时的VGS，称为栅源击穿电压BVGS。

　　6.低频跨导gm :0.7S（1N60），1.0S(2N60): 栅源电压对漏极电流的控制能力很强，MOS管放大能力很好

　　在VDS为某一固定数值的条件下，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导