2SC4177 TRANSISTOR (NPN)

　　FEATURES

　　z Complementary to 2SA1611

　　z High DC current gain

　　z High voltage

　　MAXIMUM RATINGS (TA

　　=25 ℃ unless otherwise noted)

　　Symbol Parameter

　　Value Units

　　VCBO

　　Collector- Base Voltage 60 V

　　VCEO

　　Collector-Emitter Voltage 50 V

　　VEBO

　　Emitter-Base Voltage 5 V

　　I C

　　Collector Current -Continuous 100 mA

　　PC

　　Collector Power Dissipation 150 mW

　　T J

　　Junction Temperature 150 ℃

　　T stg

　　Storage Temperature -55-150 ℃

　　ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

　　Parameter Symbol Test conditions MIN TYP MAX UNIT

　　Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO

　　I C=100μA, IE

　　=0 60 V

　　Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO

　　I C=1mA, IB

　　=0 50 V

　　Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO

　　I

　　E =100μA, IC=0 5 V

　　Collector cut-off current I CBO VCB=60V, IE

　　=0 0.1 μA

　　Emitter cut-off current I EBO VEB

　　=5V, IC=0 0.1 μA

　　DC current gain hFE* VCE=6V, IC=1mA 90 600

　　Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) IC=100mA, IB

　　=10mA 0.3 V

　　Base-emitter saturation voltage VBE(sat)

　　IC=100mA, IB

　　=10mA 1 V

　　Base Emitter voltage VBE VCE=6V, IC=1mA 0.55 0.65 V

　　Transition frequency f

　　T

　　VCE=6V,IE =-10mA 250 MHz

　　Collector output capacitance Cob VCB=6V, IE

　　=0, f=1MHz 3 pF

　　*pulse test.

　　CLASSIFICATION OF hFE

　　Rank L4 L5 L6 L7

　　Range 90-180 135-270 200-400 300-600

　　Marking L4 L5 L6 L7

　　SOT-323

　　1. BASE

　　2. EMITTER

　　3. COLLECTOR