恒温晶振 温补晶振 压控晶振 温补压控晶振

名称:恒温晶振 温补晶振 压控晶振 温补压控晶振

供应商:深圳市瑞科创电子有限公司

价格:面议

最小起订量:5/个

地址:上步南路1001号锦峰大厦309-312室

手机:18938672181

联系人:贺荣 (请说在中科商务网上看到)

产品编号:40596010

更新时间:2022-09-15

发布者IP:113.89.59.126

详细说明

  通讯、航空、航天、军事、移动通信、数字程控交换机、网络传输、接入网、光传输、雷达、导航、电子对抗、无线通信、测试设备、锁相环电路SDH、SONET、ATM、WLL、PCS基站、蜂窝基站、频率合成器

  二、主要技术指标

  1)Frequency Range 频率范围:1.00-160.00MHz

  2)SC Cut OCXO AT Cut OCXO

  3)Initial Calibration 频率准确度: A ≤±0.5ppm @25℃ B ≤±0.1ppm @25℃

  C ≤±0.05ppm @25℃ D ≤±0.01ppm @25℃

  4)Frequency Adjustment 频率调整: 1 ≥ ±0.5ppm 2 ≥ ±1.0ppm 3 ≥ ±3.0ppm

  4 ≥ ±5.0ppm 5 ≥ ±7.0ppm 6 ≥ ±10ppm

  5)Control Voltage压控电压 : 0 - 5V

  6)Operating Temperature 工作温度范围: E 0-+50℃ F -10-+60℃ G -20-+70℃

  H -30-+75℃ I -40-+75℃ J -40-+85℃

  7)Frequency Stability 温度频率稳定度: 1 ppb = ppm 1/1000

  K ±0.1ppm L ±0.05ppm M ±0.03ppm N ±0.02ppm

  O ±0.01ppm P ±0.03ppm Q ±0.005ppm R ±0.001ppm

  8)Output Waveform 输出波形: 1 HCMOS 2 TTL 3 ACMOS

  4 Sine 输出电平 ≥+2dBm ≥+5dBm @ 50Ω

  谐波抑制 ≤-20dBc ≤-30dBc @ 50Ω

  杂波抑制 ≤-70dBc ≤-75dBc @ 50Ω

  5 Clipped Sine ≥1Vp-p 10kΩ//10pF

  9)Supply Voltage 工作电压范围: S 3.3V T 5.0V U 12.0V W 15.0V

  10)Power Consumption 功耗:Warm up 开机 ≤3.5W-7.0W

  @25℃ 稳定 ≤1.2W-3.5W

  11)Phase Noise 相位噪声:

Frequency 10Hz 100Hz 1kHz 10kHz 100kHz
10.0MHz –1120dBc/Hz –150dBc/Hz –160dBc/Hz –165dBc/Hz –170dBc/Hz
10.0MHz –120dBc/Hz –140dBc/Hz –150dBc/Hz –155dBc/Hz –160dBc/Hz
10.0MHz –115dBc/Hz –135dBc/Hz –145dBc/Hz –150dBc/Hz –155dBc/Hz
10.0MHz –100dBc/Hz –130dBc/Hz –140dBc/Hz –145dBc/Hz –150dBc/Hz

  12)Ageing 频率老化率: ±0.1ppm maximum in first year ±1.0ppm maximum for 10 years

  ±0.5ppm maximum in first year ±2.0ppm maximum for 10 years

  13)Package Outline 封装、尺寸:

  N DIP 21*13*12mm O DIP 20*20*10mm P DIP 25*19*15mm Q DIP 30*30*16mm

  R DIP 36*27*16mm S DIP 38*38*16mm T DIP 50*50*16mm U SMD 25*22*14mm

  14)Storage Temperature 储存温度范围: -55-+90℃

  三、产品定型 RTO-10MHZ-SC A 1 J K 1 U N

频率 晶体 准确度 频率 调整 温度范围 稳定性 波形 电压 尺寸
RTO 10 SC A 1 J K 1 U N
RTO 10MHZ SC cut ±0.5ppm ±0.5ppm -40-+85 ℃ ±0.1ppm HCMOS 12V DIP 21*13*12 mm