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　　Bipolar Transistor)绝缘栅双极型晶体管，是

　　由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)

　　组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,

　　兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两

　　方面的优点。IGBT具有驱动功率小而饱和压降低

　　优点，非常适合应用于直流电压为600V及以上的

　　变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明

　　电路、牵引传动等领域。IGBT 的开关作用是通

　　过加正向栅极电压形成沟道，给PNP 晶体管提供

　　基极电流，使IGBT 导通。反之，加反向门极电

　　压消除沟道，切断基极电流，使IGBT 关断。

　　流电压传感器

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