金洛电子企业所生产的晶振产品全部在密封恒温条件下进行,所有器件的每一道工序,都会严格检测把关.从晶片调频,到清洗,筛选都必须要经过品质主管等管理人员的确定,一直到产品出厂,到最后贴上标签为止.所有选择我公司产品,品质,晶振性能,你都可以放心.

　　陶瓷谐振器的试验条件高度100cm向水泥地面自由跌落10次.要求电性能满足2-1∽2-4的规定,外观无可见损伤.

　　陶瓷晶振振动试验条件,振动频率10Hz∽55Hz,振幅1.5mm,三方向,每一方向扫频循环5次.要求电性能满足2.1∽2.4的规定,外观无机械损伤.

　　引线强度,试验条件沿引线方向施加10N力,持续时间10S.

　　要求电性能满足2.1∽2.4的规定,引线无松动,脱落现象.

　　耐焊接热,试验条件将引线浸入260℃±5℃的焊锡槽中,浸入深度至引线根部2mm处,时间10S±1S,在室温条件下恢复24±2小时后进行测量.

　　要求电性能满足2.1∽2.4的规定,外观无可见损伤.

　　可焊性试验条件将引线浸入230℃±5℃的焊锡槽中,浸入深度至引线根部2mm处,时间5S±1S.要求焊锡良好覆盖的面积应不少于浸锡面积的95%.

　　高温试验,试验条件温度85℃±2℃,时间96小时,在室温条件下恢复24±2小时后进行测量.要求电性能满足2.1∽2.4的规定.

　　低温试验,试验条件温度-25℃±2℃,时间96小时,在室温条件下恢复24±2小时后进行测量.

　　陶瓷晶振要求电性能满足2.1∽2.4的规定.

　　恒定湿热,试验条件温度40℃±2℃,相对温度90%∽95%,时间96小时,在室温条件下恢复24小时后进行测量.

　　陶瓷晶振要求电性能满足2.1∽2.4的规定.

　　温度变化试验,试验条件试验温度-20℃.+80℃,转换时间2-3min,循环次数5次,在室温条件下恢复24小时后进行测量.要求电性能满足2.1∽2.4的规定.

　　陶瓷晶振规格陶瓷晶振频率参数

　　Oscillation Frequency

　　振动频率20.00 MHz

　　Initial Tolerance

　　初级公差within ±0.5%

　　Resonant Impedance

　　谐振阻抗40 Ω max.

　　Built-in Load Capacitance

　　内置负载电容8pF±20% max.

　　Insulation Resistance

　　绝缘电阻500 MΩ min. (Applied D.C.IOV)

　　Withstanding Voltage 电压适应性D.C. 100V, 5 seconds max.

　　Rated Working Voltage

　　(1) D.C. Voltage 直流电压

　　(2) A.C. Voltage 交流电压

　　D.C. 6V

　　15Vp-p

　　Temperature Stability 温度稳定性

　　• Operating Temperature 工作温度

　　• Storage Temperature 贮藏温度± 0.2 ％ max. (From initial value)

　　-20℃∼+80℃

　　-40℃∼+85℃

　　Aging (10 years) 老化率± 0.1 ％ max. (From initial value)

　　中频压电陶瓷晶振千赫系列产品,经过晶振厂家金洛电子长期开发研究,现在大部分频点均已量产,并且长期备有现货,频点多元化,多种款型,型号,体积,封装,引进插件以及贴片模式供客户选用.金洛电子所有生产的陶瓷晶振均经过严格宽温度范围内和长期老化试验,确保客户在使用过程中保持稳定. 该中频陶瓷谐振器系列由固定,调谐,固态器件组成,该陶瓷振荡子尺寸小,重量轻,具有卓越的抗振性能.为了该陶瓷振荡子系列产品在电路中使用稳定,本公司产品均严格做过各项验证,在线路中适合各款型IC可构成免调整振荡电路.成熟的产品被广泛应用家用电器,通信设备,儿童游戏等系列电子产品中.