详细说明
CVD（G）系列真空高温管式炉专门设计用于高温CVD工艺,如ZnO纳米结构的可控生长、氮化硅渡膜、陶瓷基片导电率测试、陶瓷电容器（MLCC）气氛烧结等等。窑炉采用氧化铝纤维制品隔热、保温，国产优质硅钼棒加热，优质刚玉管炉膛,系统可预抽真空，气体采用浮子流量计控制。进口单回路智能温度控制仪控制，设备具有温度均匀、控制稳定、升温速度快、节能、使用温度高、寿命长等特点，是理想的科研设备。
一、技术指标:
| 设备型号 | NT-CVD(G)-08/50/1 |
| 温区最高温度 | 1650℃；(最长恒温时间:≥10小时)；常用温度:1600℃(最长恒温时间:≥100小时) |
| 加热有效容积 | Φ72（内经）×500mm;恒温区尺寸:Φ72（内经）×250mm |
| 炉管实际尺寸 | Φ80（外径）×1400mm（国产优质刚玉管） |
| 炉膛材料 | 氧化铝纤维制品 |
| 控制温区点数 | 1个，1支B分度热偶 |
| 设备温场温差 | ±1℃，日本岛电进口40段程序控制仪表(1只) |
| 加热元件 | 优质硅钼棒 |
| 最大加热功率 | 12Kw |
| 保温功率 | 5kw |
| 最大升温速率 | 3℃∽10℃/min; |
| 最大降温速率 | 3℃∽7℃/min |
| 温度均匀性 | ±3℃(有效范围:Φ72×250mm) |
| 气路配件材料 | 气路配件材料，端头不锈钢发兰密封，一路气体采用浮子流量计控制，所有管道和阀门采用不锈钢元件 |
| 极限真空 | ≤10Pa（常温）,一级机械泵（配电磁阀）。 |
| 压升率 | ≤5Pa/h |
1000时可抽真空，能通保护氮气
外型参考尺寸1250（L）×1650（H）×650（D）mm
输入动力电源单相电源，50HZ，220V±10%；10KW
炉体表面温升≤45℃