该真空烧结退火炉是生产半导体器件和磁性材料烧结、退火工序中的重要设备。

　　主要技术指标:

　　1、工作温度:400～1250℃

　　2、单点温度控制精度≤±1℃/24h

　　3、恒温区长度:≥200mm/±1℃

　　4、升温功率:≤5KVA

　　5、升温时间:（室温至1050℃)≤75min

　　6、保温功率:≤3KVA

　　7、重新定值重复性:≤±1℃

　　8、重开机重复性:≤±1℃

　　冷态真空度:≤5 x 10-3Pa（打开扩散泵门后15min）

　　9、炉体传动升降分:自动及点动，速度无级调速，自动烧结烧结为0～30min

　　10、真空室尺寸:φ80㎜～φ300mm

　　11、设备外形尺寸:1703 x 703 x 2450 (mm)(长 x 宽 x 高）

　　12、重量:约600Kg

　　13、工作条件:

　　(1)环境温度:10～45℃

　　(2)相对湿度:≤85%

　　(3)电网电压:220V ± 10% ～ 380V