采用最新的CSTBT硅片技术，与H系列产品外观相同，目标开关频率8－20KHz，低饱和压降Vce(sat)；低开通损耗Eon；低关断损耗Eoff，高短路承受力（不需要RTC），降低栅极电容，栅极驱动功率接近平板型IGBT,最好的热阻性能， T(j-f)比竞争对手好一个等级，使用寿命长，采用传统的与H系列兼容的 Rth(j-c) 和Rth(c-f)定义，封装全系列与H系列产品兼容，适用于中频系列设备:通用变频器、交流伺服、风力发电、太阳能发电、恒压恒频等设备，系列IGBT采用环保技术，生产的产品可用于出口，常用型号有:

　　CM150DY-12NF 150A/600V/2单元

　　CM200DY-12NF 200A/600V/2单元

　　CM300DY-12NF 300A/600V/2单元

　　CM400DY-12NF 400A/600V/2单元

　　CM100DY-24NF 100A/1200V/2单元

　　CM150DY-24NF 150A/1200V/2单元

　　CM200DY-24NF 200A/1200V/2单元

　　CM300DY-24NF 300A/1200V/2单元