详细说明
采用最新的CSTBT硅片技术
＊低饱和压降Vce(sat)；低开通损耗Eon；低关断损耗Eoff
＊高短路承受力（不需要RTC）
＊降低栅极电容，栅极驱动功率接近平板型IGBT
采用AlN绝缘基层形成优异的热阻特性，比欧洲的沟槽型IGBT具有更低的热阻
比欧洲的沟槽型IGBT具有更低的成本结构
按IEC747-15标准定义温度和热阻 , 低成本设计，
适合中、低端变频器产品设计
| CM100DY-24A |
| CM150DY-24A |
| CM200DY-24A |
| CM300DY-24A |
| CM400DY-24A |
| CM600DY-24A |