采用最新的CSTBT硅片技术;低饱和压降Vce(sat)；低开通损耗Eon；低关断损耗Eoff;高短路承受力（不需要RTC）；降低栅极电容，栅极驱动功率接近平板型IGBT;采用AlN绝缘基层形成优异的热阻特性，比欧洲的沟槽型IGBT具有更低的热阻;比欧洲的沟槽型IGBT具有更低的成本结构;按IEC747-15标准定义温度和热阻，目标开关频率6－12KHz，低成本设计，广泛适用于低频变频器等产品设计

　　CM100DY-24A 100A/1200V/2单元

　　CM150DY-24A 150A/1200V/2单元

　　CM200DY-24A 200A/1200V/2单元

　　CM300DY-24A 300A/1200V/2单元

　　CM400DY-24A 400A/1200V/2单元

　　CM600DY-24A 600A/1200V/2单元