1、ON快速二极管
MUR1100 1,000V 1A 100ns
MUR4100 1,000V 4A 100ns
MUR860 600V 8A 60ns
MUR8100 1,000V 8A 100ns
MUR1560 600V 15A 60ns
MUR3020PT 200V 30A 共阴 35ns
MUR3040PT 400V 30A 共阴 60ns
MUR3060PT 600V 30A 共阴 60ns
MUR6040 400V 60A 共阴 100ns
MURP20040CT 400V 200A 共阴 75ns
2、IXYS快速二极管
DSEI 8-06A 600V 8A 35ns
DSEI 12-06A 600V 14A 35ns
DSEC30-06A 共阴 600V 30A 35ns
DSEI 60-06A 600V 60A 35ns
DSEI 30-10A 1,000V 30A 35ns
DSEI 60-10A 1,000V 60A 35ns
DSEP8-12A 1,200V 10A 35ns
DSEI 20-12A 1,200V 17A 40ns
DSEI 30-12A 1,200V 26A 40ns
DSEI 60-12A 1,200V 52A 35ns
DSEI 2x30-06C 600V 2x30A 35ns
DSEI 2x31-06C 600V 2x30A 35ns
DSEI 2x61-06C 600V 2x60A 35ns
DSEI 2x101-06A 600V 2x96A 35ns
DSEI 2x30-12B 1,200V 2x28A 40ns
DSEI 2x31-12B 1,200V 2x28A 40ns
DSEI 2x61-12B 1,200V 2x52A 40ns
DSEI 2x101-12A 1,200V 2x91A 40ns
MEK95-06DA 600V 2x95A 250ns
MEK75-12DA 1,200V 2x75A 250ns
MEK250-12DA 1,200V 2x260A 450ns
MEO450-12DA 1,200V 453A 450ns
3、FUJI 快速二极管（FRD）
ERA34-10 1,000 V IO(A)=0.1 IFSM(A)=2 Trr(μs)=0.15
ESAD92M-02（共阴） 200 V IO(A)=20 IFSM(A)=100 Trr(μs)=0.04
ESAD92M-03（共阴）300 V IO(A)=20 IFSM(A)=80 Trr(μs)=0.04
ERC90-02 200 V IO(A)=5 IFSM(A)=50 Trr(μs)=0.035
4、英飞凌
IDB06E60 600V 6A TO-263
IDB09E60 600V 9A TO-263
IDB15E60 600V 15A TO-263
IDB30E60 600V 30A TO-263
IDB45E60 600V 45A TO-263
IDD03E60 600V 3A TO-252
IDD06E60 600V 6A TO-252
IDD09E60 600V 9A TO-252
IDD15E60 600V 15A TO-220
IDD23E60 600V 23A TO-252
IDP06E60 600V 6A TO-220
IDP09E60 600V 9A TO-220
IDP15E60 600V 15A TO-220
IDP23E60 600V 23A TO-220
IDP30E60 600V 30A TO-220
IDP45E60 600V 45A TO-220
IDW75E60 600V 75A TO-247
IDW100E60 600V 100A TO-247
IDB04E120 1200V 4A TO-263
IDB09E120 1200V 9A TO-263
IDB12E120 1200V 12A TO-263
IDB18E120 1200V 18A TO-263
IDB30E120 1200V 30A TO-263
IDP04E120 1200V 4A TO-220
IDP09E120 1200V 9A TO-220
IDP12E120 1200V 12A TO-220
IDP18E120 1200V 18A TO-220
IDP30E120 1200V 30A TO-220
5、三社
DKR200AB 600 V IO(A)=100 IFSM(A)=1800 Trr(ns)=200
DKR300AB 600 V IO(A)=150 IFSM(A)=1800 Trr(ns)=200
DKR400AB 600 V IO(A)=200 IFSM(A)=3000 Trr(ns)=200