三菱igbt模块

　　武汉晶达电子有限公司聚十多年功率半导体的专业经验,为三菱功率半导体器件在中国区域的授权代理商，负责三菱功率半导体在中国市场的推广和销售工作。以下大量现货，欢迎查询。

　　a系列

　　特点:

　　a) 采用最新的cstbt硅片技术；

　　b) 低饱和压降vce(sat)；低开通损耗eon；低关断损耗eoff高短路承受力（不需要rtc）；

　　c) 降低栅极电容，栅极驱动功率接近平板型igbt；

　　d) 采用aln绝缘基层形成优异的热阻特性，比欧洲的沟槽型igbt具有更低的热阻；

　　e) 比欧洲的沟槽型igbt具有更低的成本结构，按iec747-15标准定义温度和热阻。

　　用途:

　　低成本设计，适合中、低端