详细说明
红外发光二极管/发射二极管/850nm发射管 额定工作范围（以HIR333C-A为例说明）
| 项目 | 符号 | 范围 | 单位 |
| 持续的正向电流 | IF | 50 | mA |
| 峰值电流（脉冲频宽≤100us,冲击≤1%） | IFP | 1.0 | A |
| 反向电压 | VR | 5 | V |
| 工作温度 | Ta | -25~+85 | ℃ |
| 储存温度 | Ts | -40~+100 | ℃ |
| 焊锡温度（焊锡点在胶体以下4mm外，≤5秒） | Tsol | 260 | ℃ |
| 消耗功率（常温25℃以内） | Pd | 100 | mW |
红外发光二极管/发射二极管/850nm发射管 电子特性（以HIR333C-A为例说明）
| 项目 | 符号 | 最小值 | 平均值 | 最大值 | 单位 | 测试条件 |
| 发射强度 | Ie | 7.8 | 15 | --- | mW/sr | IF=20mA(IF:顺向电流) |
| --- | 140 | --- | IF=100mA,tp=100_s, tP/T=0.01 |
| --- | 980 | --- | IF=1A,tp=100_s, tP/T=0.01 |
| 峰值波长 | λp | --- | 850 | --- | nm | IF=20mA |
| 波长宽度 | ∆λ | --- | 45 | --- | nm | IF=20mA |
| 顺向电压 | VF | --- | 1.2 | 1.5 | V | IF=20mA |
| --- | 1.8 | 2.4 | IF=100mA,tp=100_s, tP/T=0.01 |
| --- | 4.1 | 5.25 | IF=1A,tp=100_s, tP/T=0.01 |
| 反向漏电电流 | IR | --- | --- | 10 | uA | VR=5V(VR:反向电压) |
| 发射角度 | 2θ1/2 | --- | 17 | --- | Deg. | IF=20mA |
红外发光二极管/发射二极管/850nm发射管 发射强度等级（以HIR333C-A为例说明）IF20mA，单位mW/sr
| 等级代码 | M | N | P | Q | R |
| 最小值 | 7.8 | 11.0 | 15 | 21 | 30 |
| 最大值 | 12.5 | 17.6 | 24 | 34 | 48 |
HIR333C-A插件式红外发射管是EVERLIGHT一款高辐射强度850nm峰值波长的红外发射二极管，采用GaAlAs材质的发光芯片与黄色透明环氧树脂封装，2.54mm极性脚距，高辐射强度（高发射功率）与低顺向电压，具有高可靠性，其设计用于与光敏三极管、光电二极管、红外接收头等搭配使用，产品符合无铅制程与环保RoHS要求。HIR系列插件式红外发射二极管市场应用相当广泛，包含影像感测、体感/移动侦测、光遮断感测、光电开关、接近开关、光盘驱动、红外感测、数码相机、空间信号传送装置、位置感测、生物辨识、脉搏血氧侦测等