详细说明
产品介绍:
-30V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET -30V 双P 沟道增强型MOS 管
VDS= -30V
RDS(ON), Vgs@-10V, Ids@-5.3A = 60mΩ
RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-4.0A = 90mΩ
Features 特性
Advanced trench process technology 高级的加工技术
High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance
极低的导通电阻高密度的单元设计