金昌工业用开关设计

　　触摸式电子开关的人机交互设计

　　电容式触摸开关通过检测人体微电流实现控制，灵敏度可调范围5-50pF。防误触设计包括延时触发、二次确认等机制，某品牌面板开关采用压力感应技术，需施加500g力度才响应操作。LED呼吸灯效果可直观显示开关状态，部分产品集成接近感应功能，人手靠近时自动亮起背光。最新研发的透明导电膜技术，允许在玻璃表面实现全透明触摸开关，广泛应用于智能卫浴和高端家电。

　　电动执行器 YE

　　发热器件(电加热) FH

　　照明灯(发光器件) EL

　　空气调节器 EV

　　电加热器加热元件 EE

　　感应线圈,电抗器 L励磁线圈 LF

　　消弧线圈 LA

　　滤波电容器 LL

　　电阻器,变阻器 R

　　热敏电阻 RT

　　光敏电阻 RL

　　（4）电流方程:在饱和区内，耗尽型MOS管的电流方程与结型场效应管的电流方程相同，即:

　　各种场效应管特性比较

　　P沟MOS晶体管

　　金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类，P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源和漏，两之间不通导，柵上加有的正电压(源接地)时，柵下的N型硅表面呈现P型反型层，成为连接源和漏的沟道。改变栅压可以改变沟道中的电子密度，从而改变沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。如果N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管。统称为PMOS晶体管。

　　金昌工业用开关设计

　　PNP DAR PNP三管

　　POT 滑线变阻器

　　PELAY-DPDT 双刀双掷继电器

　　RES1.2 电阻

　　RES3.4 可变电阻

　　RESISTOR BRIDGE ? 桥式电阻

　　RESPACK ? 电阻

　　SCR 晶闸管PLUG 插头

　　PLUG AC FEMALE 三相交流插头

　　接近开关 SQP

　　手动控制开关 SH

　　时间控制开关 SK

　　液位控制开关 SL

　　湿度控制开关 SM

　　压力控制开关 SP

　　速度控制开关 SS

　　温度控制开关,辅助开关 ST

　　电压表切换开关 SV

　　电流表切换开关 SA

　　可控硅整流器 UR控制电路有电源的整流器 VC