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　　触摸式电子开关的人机交互设计

　　电容式触摸开关通过检测人体微电流实现控制，灵敏度可调范围5-50pF。防误触设计包括延时触发、二次确认等机制，某品牌面板开关采用压力感应技术，需施加500g力度才响应操作。LED呼吸灯效果可直观显示开关状态，部分产品集成接近感应功能，人手靠近时自动亮起背光。最新研发的透明导电膜技术，允许在玻璃表面实现全透明触摸开关，广泛应用于智能卫浴和高端家电。

　　(7). 选中“微处理器(MICROPROCESSORS)”，其“元件”栏中有60个品种可供调用。(8). 选中“用VHDL语言编程器件(VHDL)”，其“元件”栏中有119个品种可供调用。

　　(9). 选中“用Verilog HDL语言编程器件(VERILOG_HDL)”，其“元件”栏中有10个品种可供调用。

　　(10). 选中“存贮器(MEMORY)”，其“元件”栏中有87个品种可供调用。

　　1）放置器件菜单栏2）放置信号源

　　3）放置基础元件

　　5）放置晶体管

　　7）放置晶体管-晶体管逻辑(TTL)与互补金属氧化物半导体(CMOS)

　　8）放置微控制器、PLD、FPGA等

　　9）放置指示器

　　10）放置机电元件

　　1）虚拟仪表介绍

　　2）元件与仪表的添加★

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　　2）转移特性曲线

　　转移特性曲线如图1(b)所示,由于场效应管作放大器件使用时是工作在饱和区(恒流区),此时iD几乎不随vDS而变化,即不同的vDS所对应的转移特性曲线几乎是重合的,所以可用vDS大于某一数值(vDS＞vGS-VT)后的一条转移特性曲线代替饱和区的转移特性曲线。

　　3）iD与vGS的近似关系与结型场效应管相类似。在饱和区内,iD与vGS的近似关系式为

　　N沟道增强型MOS管的结构在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底上，制作两个高掺杂浓度的N+区，并用金属铝引出两个电，分别作漏d和源s。

　　然后在半导体表面覆盖一层很薄的二氧化硅(SiO2)缘层，在漏——源间的缘层上再装上一个铝电,作为栅g。

　　在衬底上也引出一个电B，这就构成了一个N沟道增强型MOS管。MOS管的源和衬底通常是接在一起的(大多数管子在出厂前已连接好)。