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　　电子开关的工作原理与技术分类

　　电子开关是通过半导体器件实现电路通断控制的装置，主要分为机械式电子开关和固态电子开关两大类。机械式电子开关如继电器通过电磁线圈驱动机械触点，而固态电子开关则采用MOSFET、IGBT等功率半导体器件实现无触点开关。光电耦合器在高低压隔离控制中发挥重要作用，确保控制信号与主电路的安全隔离。现代电子开关的切换速度可达微秒级，远快于传统机械开关，特别适用于高频PWM调光、电机调速等场景。

　　选用合适的采样率和触发电平,根据试验计划操作DUT,并记录电压幅度。其他瞬态参数,诸如上升时间、下降时间、持续宽度等也应记录。除非另有规定,至少采集10个波形,记录包含大正幅度和

　　负幅度及其相关参数的波形。

　　应按附录B评估测得的瞬态,应记录相关信息和试验结果。若试验计划有要求,应包括与试

　　验计划规定性能有关的瞬态评估结果。

　　2．与虚拟元件相对应，我们把现实中可以找到的元件称为真实元件或称现实元件。比如电阻的“元件”栏中就列出了从1.0Ω到22MΩ的全系列现实中可以找到的电阻。现实电阻只能调用，但不能修改它们的参数(个别可以修改，比如晶体管的β值)。凡仿真电路中的真实元件都可以自动链接到Ultiboard中进行制版。3．电源虽列在现实元件栏中，但它属于虚拟元件，可以任意修改和设置它的参数；电源和地线也都不会进入Ultiboard的PCB界面进行制版。

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　　进展1 :热光移相器的结构与实现原理硅材料具有较高的热光系数，室温下大约是1.8 × 10-4 K-1。因此，只需要升高有限的温度，就能实现明显的波导折射率变化。同时，硅材料的热导率大约是149 W/mK，这一特性了硅基热光移相器可以有较快的响应速度，开关时间一般在几十微秒以内。图1展示了缘衬底上硅（Silicon-on-insulator, SOI）的多种硅基热光移相器的横截面结构，其中加热器主要是通过高电阻率的金属或掺杂波导实现，并从波导上方或两侧对波导进行加热。对于单波导热光移相器，这两种加热方式的移相效率接近，大约在20-30mW/π之间。为了提高热光移相器移相效率，一般会以减少热耗散与提高热量利用率为目标优化热光移相器结构。减少热耗散主要通过刻蚀隔热槽和掏空衬底工艺实现，如图1（f）所示。为了提高热量利用率可以利用加热器热场远大于波导模场的特点，通过设计并制作高密度波导或波导复用的方式来增加热场与模场的重叠积分，实现对热量的利用，如图1（g）-（h）所示。

　　大需量表(负荷监控仪) PM

　　功率因数表 PPF

　　有功功率表 PW

　　无功功率表 PR

　　无功电流表 PAR

　　电线,电缆,母线 W

　　直流母线 WB

　　插接式(馈电)母线 WIB

　　电力分支线 WP

　　照明分支线 WL应急照明分支线 WE